[发明专利]半导体存贮器件及其操作方法无效
申请号: | 91108568.8 | 申请日: | 1991-08-03 |
公开(公告)号: | CN1035291C | 公开(公告)日: | 1997-06-25 |
发明(设计)人: | 齐藤隆一;小野濑秀胜;小林裕;大上三千男 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | G11C11/22 | 分类号: | G11C11/22;H01L27/04;H01L29/78 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 冯赓宣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存贮 器件 及其 操作方法 | ||
1.一种半导体存贮器件的操作方法,所说半导体存贮器件有至少一个存贮单元,所说的至少一个存贮单元有至少一个铁电电容元件,所说的至少一个铁电电容元件有一个第一端和一个第二端,该第二端连接到一条镀线上,其特征是:
所说的至少一个铁电电容元件有第一,第二和另一极化状态,在所说的铁电电容元件上跨接相应的第一,第二和另一电压时,各极化状态之间可以转换;所述第一和第二电压具有足够的量值使得所述铁电电容元件分别处于所述第一和第二极化状态,所述另一电压的量值小于所述第一和第二电压的量值,并且不足以使得所述铁电电容元件处于所述第一和第二极化状态;
所说的方法包括:
加所说的第一电压跨接在所说的铁电电容元件上,使所说的铁电电容元件处于所说的第一状态;
加所述另一电压跨接在所说的铁电电容元件上,使所说的铁电电容元件从所说的第一状态变成所说的另一状态;和
测量所说的至少一个铁电电容元件所述第一状态与所述另一状态之间的极化变化;
所说的至少一个存贮单元有开关元件,所说开关元件有第一,第二端和控制端,所说开关元件的所说第一端连接到所说铁电电容元件的第一端,所说的测量跨接在所说铁电电容元件上的极化变化的步骤包括,加一个第一信号给所说开关元件的所说控制端并测量所说开关元件的第二端的电压。
2.按权利要求1的方法,其特征在于,所说的存贮器件有具有至少一个伪铁电电容元件的伪存贮单元;所说的方法还包括:
加一个预定第一电压跨接在所说的至少一个伪铁电电容元件上,使所说的至少一个伪铁电电容元件处于预定第一状态;
加所说的另一电压跨接在所说的伪铁电电容元件上;
测量由于所说的另一电压引起的跨接于所说的至少一个伪铁电电容元件上的极化变化;和
比较所说的至少一个铁电电容元件的极化变化与所说的至少一个伪铁电电容元件的极化变化,以确定所说的第一状态是代表逻辑“1”或是代表逻辑“0”。
3.按权利要求1的方法,其特征在于进一步包括:
再加所说的第一电压跨接在所说的铁电电容元件上,使所说的铁电电容元件恢复到所说的第一状态。
4.一种半导体存贮器,其包括:
a)至少一个存贮单元,它具有至少一个铁电电容元件,所说的至少一个铁电电容元件有一个第一端和一个第二端,该第二端连接到一条镀线上,其特征在于:
所说的至少一个铁电电容元件有第一,第二和另一极化状态,并且由各自的第一,第二和另一电压引起各状态之间的转换;所述第一和第二电压具有足够的量值使得所述铁电电容元件分别处于所述第一和第二极化状态,所述另一电压的量值小于所述第一和第二电压的量值,并且不足以使得所述铁电电容元件处于所述第一和第二极化状态;
所述存贮器还包括:
b)控制电路,用于
给所说的铁电电容元件两端加所说的第一电压,使所说的铁电电容元件处于所说的第一状态;
加所述另一电压给所说铁电电容元件的两端,使所说的铁电电容元件从所说的第一状态变到所述另一状态;
c)测量所说的至少一个铁电电容元件两端的第一状态和所说的另一状态之间的极化变化的测量装置,所说的至少一个存贮单元有一个开关元件,它有第一,第二端和控制端,所说开关元件的第一端连接到所说铁电电容元件的第一端,并且其中测量装置加一个第一信号给所说的开关元件的所说的控制端,并测量所说的开关元件的第二端的电压。
5.按权利要求4的存贮器件,其特征是有伪存贮单元,它有至少一个伪铁电电容元件;其中所说的控制电路布置成提供一个预定电压给所说至少一个伪铁电电容元件的两端,使所说的至少一个伪铁电电容元件处于预定状态,并提供所说的另外的电压给所说的伪铁电电容器的两端;其中所说的测量装置布置成为比较所说的至少一个铁电电容元件的极化变化与所说的至少一个伪铁电电容元件的极化变化,以确定所说的第一状态是代表逻辑“1”或是代表逻辑“0”。
6.按权利要求4的存贮器件,其特征是,有多个所说的铁电电容元件,所说的多个铁电电容元件,其第一端电气连接在一起。
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