[发明专利]片状导电高分子发热体及其制造方法无效
| 申请号： | 91109980.8 | 申请日： | 1991-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN1060381A | 公开（公告）日： | 1992-04-15 |
| 发明（设计）人： | 余红梁;徐得隆;戴成龙 | 申请（专利权）人： | 上海市塑料制品工业研究所 |
| 主分类号： | H05B3/14 | 分类号： | H05B3/14;H05B3/03 |
| 代理公司： | 上海专利事务所 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 20000*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 片状 导电 高分子 发热 及其 制造 方法 | ||
1、一种制造片状导电高分子发热体的方法，其特征在于包括以下步骤：
将高分子材料与导电炭黑及交联剂按照设定的混炼比混炼；
将上述混炼后的混合物在第一设定温度范围内压制第一设定时间并制成一定厚度的片状导电体；以及
将两块进行过表面粗化处理后的金属箔贴在上述制成的片状导电体的两面，然后在第二设定温度范围内压制第二设定时间，使上述金属箔与上述片状导电体结合在一起。
2、如权利要求1所述的方法，其特征在于所述混炼步骤是将聚乙烯、导电炭黑及交联剂以重量比为100∶30∶2的混炼比混合，然后用两辊开炼机在110℃-140℃的温度之间混炼半小时。
3、根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述混炼步骤是将聚乙烯、导电炭黑以重量比为100∶30混合后在一定温度下用双螺杆挤出机混炼;以及
在上述混炼后的混合物中加入交联剂并在110℃-140℃之间由两辊开炼机混炼，然后冷却。
4、如权利要求1所述的方法，其特征在于上述第一设定温度范围为110°-140℃，第一设定时间为2-10分钟。
5、如权利要求1所述的方法，其特征在于上述第二设定温度范围为170℃-200℃，第二设定时间为5-10分钟。
6、一种片状导电高分子发热体，其特征在于它包括：
将高分子材料与导电炭黑及交联剂按照设定的混炼比混炼后并在第一设定温度范围内压制第一设定时间后制成的具有一定厚度的片状导电体;以及
两块分别与上述片状导电体的上下表面相连结的且至少有一表面经过粗化的金属箔，上述片状导电体与粗化的金属箔是在第二设定温度范围内压制第二设定时间后连结在一起的。
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