[发明专利]薄膜形成装置无效
申请号: | 91110723.1 | 申请日: | 1991-11-08 |
公开(公告)号: | CN1061444A | 公开(公告)日: | 1992-05-27 |
发明(设计)人: | 伊藤弘基;梶田直幸 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | C23C14/32 | 分类号: | C23C14/32;C23C16/48 |
代理公司: | 上海专利事务所 | 代理人: | 张恒康 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 形成 装置 | ||
1、薄膜形成装置包括:
一真空室;
从所述真空室抽去空气以向所述真空室提供真空的抽真空装置;
在所述真空室内使沉淀物产生集结的集结物生成装置;
把所述集结生成装置产生的部分集结物予以电离的电离装置;
加速把所述电离装置电离的集结物和未电离的集结物两者均予以加速使与所述真空室内的基片碰撞的加速装置;和
把小于预定大小的集结物予以滤去的过滤装置,该集结物系由所述电离装置电离的。
2、如权利要求1所述的薄膜形成装置,其特征在于所述过滤装置包括偏转电离集结物的一对对置电极,和一向所述对置电极施以电压的电源。
3、如权利要求2所述的薄膜形成装置,其特征在于所述电源包括一高频电源。
4、如权利要求1所述的薄膜形成装置,其特征在于所述加速装置包括一接地电极和对所述接地电极为正偏的加速电极。
5、如权利要求1所述的薄膜形成装置,其特征在于所述加速装置包括接地电极、对所述接地电极为正偏的加速电极,和介于所述接地电极和所述加速电极之间的且对所述接地电极为负偏的第一引出电极。
6、如权利要求1所述的薄膜形成装置,其特征在于所述集结物生成装置包括内装沉淀物且其上构成喷出所述沉淀物的蒸汽的喷嘴的熔炉,和一加热所述熔炉以使沉淀物蒸发的加热装置。
7、如权利要求1所述的薄膜形成装置,其特征在于所述电离装置包括发射电子的电离丝,和一加速从所述电离丝发射出来的电子,以使这些电子同集结物碰撞的第二引出电极。
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