[发明专利]混合集成二维面发射激光器列阵无效
| 申请号： | 91111498.X | 申请日： | 1991-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1025580C | 公开（公告）日： | 1994-08-03 |
| 发明（设计）人： | 张晓波 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01S3/25 | 分类号： | H01S3/25;H01S3/043;H01S3/085;H01S3/18 |
| 代理公司： | 吉林大学专利事务所 | 代理人： | 崔丽娟 |
| 地址： | 130023 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 混合 集成 二维 发射 激光器 列阵 | ||
【权利要求书】：
1、一种混合集成二维面发射激光器列阵，由铜热沉1，端面出光的半导体激光阵列管芯2和反射体3构成，本发明的特征在于端面出光的半导体激光阵列管芯2与铜热沉1直接相焊接，中间没有其它晶体隔离。
2、一种按照权利要求1所述的混合集成二维面发射激光器列阵，其特征在于反射体3为无底的矩形窗口环状结构，矩形窗口的内侧构成反射镜面5，激光阵列管芯2位于反射体3的矩形窗口中心，激光阵列管芯2的出光端面对着反射镜面5。
3、一种按照权利要求2所述的混合集成二维面发射激光器列阵，其特征在于反射体3由表面为（100）面的砷化镓单晶片制成，厚约100μm。
4、一种混合集成二维面发射激光器列阵的工艺方法，为了将反射体3和端面出光的半导体激光阵列管芯2集成在铜热沉1上要用烧结工艺，反射体要用腐蚀工艺，本发明的特征在于反射体3和端面出光的半导体激光阵列管芯2一起一次烧结同时被焊接的镀铟铜热沉1上，反射体3用定向腐蚀的方法制成。
5、按照权利要求4所述的混合集成二维面发射激光器列阵的工艺方法，本发明的特征在于反射体3的制备用定向腐蚀液H2SO4∶H2O2∶H2O（1∶8∶8），沿砷化镓单片[011]方向光刻的矩形窗口进行腐蚀，窗口的侧壁近似成45°角斜面或抛物面。
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