[发明专利]高压电解电容器用高纯铝箔的退火工艺无效
申请号: | 91111911.6 | 申请日: | 1991-12-31 |
公开(公告)号: | CN1027513C | 公开(公告)日: | 1995-01-25 |
发明(设计)人: | 毛卫民 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | C22F1/04 | 分类号: | C22F1/04 |
代理公司: | 北京科技大学专利代理事务所 | 代理人: | 刘月娥 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高压 电解电容 器用 高纯 铝箔 退火 工艺 | ||
本发明提供了一种高压电解电容器用高纯铝箔的退火工艺。
高压电解电容器用高纯铝箔表面{100}晶面的占有率是衡量这种铝箔质量的关键指标。采用通常的退火工艺所获得的{100}晶面的占有率比较低,而且不稳定,因而损害铝箔的电学性能。采用1986年8月27日公布的CN85100347A(电解电容器用硬态高纯铝箔进行快速退火)所提供的工艺对冷轧态高纯铝箔进行处理,亦不能获得很高的{100}晶面占有率,而且所获得的{100}晶面占有率也不稳定。
我国中、高压铝电解电容器的年产量达数千万只。随电子工业,尤其是计算机工业的发展,铝电解电容器的需求量会迅猛增长。目前我国这类产品所用高纯铝箔基本上依靠进口。国外有关铝公司(如前西德VAW铝业联合公司)也在积极开展改善高纯铝箔生产和加工工艺方面的研究工作。
本发明的目的在于解决高压电解电容器用高纯铝箔生产中的关键技术难题,即{100}晶面占有率低的问题。
本发明的内容是提供了一种高压电解电容器用高纯铝箔生产的热处理工艺。即对经适当冷轧的高纯铝箔进行分段退火处理。具体方式为200至250℃保温5至10分钟,然后300至350℃保温10至15分钟,最后400至500℃保温1至5分钟快冷至室温。经这样的处理,可以使铝箔表面{100}晶面的占有率达到85%以上。
本发明的优点在于可以明显地提高高压电解电容器用高纯铝箔的质量,并可以避免铝箔质量的不稳定性。
实施例
成分为99.998%Al的高纯铝经适当冷轧成箔,在盐炉内依次进行240℃10分钟,300℃15分钟和450℃1分钟的加热,然后快冷至室温。可以使表面{100}晶面的占有率高达90%以上。
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