[实用新型]制备半导体单晶用的双层坩埚无效
| 申请号： | 91204133.1 | 申请日： | 1991-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN2087322U | 公开（公告）日： | 1991-10-23 |
| 发明（设计）人： | 王体虎;秦福;李英春 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | F27B14/10 | 分类号： | F27B14/10 |
| 代理公司： | 北京市第三专利代理事务所 | 代理人： | 母宗绪 |
| 地址： | 100088*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 半导体 单晶用 双层 坩埚 | ||
【权利要求书】：
1、一种用于制备半导体单晶用的双层坩埚，由内坩埚和外坩埚所组成，内坩埚安放在外坩埚内，外坩埚的环状壁为直筒状，本实用新型的特征是，内坩埚的环状壁为上口大，下口小的倒置的截圆锥筒状、倒置的截棱锥筒状其中的一种，内坩埚上口直径(指拉晶尚未开始时的液面处内坩埚的直径)为外坩埚直径的B·倍(K为掺杂剂分配系数)，内坩埚下口直径为外坩埚直径的B·倍，其中A=1.1-1/，B=0.80～1.0，在内坩埚环状壁上接近双层坩埚的底处至少有一个小孔。
2、根据权利要求1的一种用于制备半导体单晶用的双层坩埚，其特征是，内坩埚的环状壁上接近双层坩埚的底处有1－4个小孔。
3、根据权利要求1的一种用于制备半导体单晶用的双层坩埚，其特征是，小孔为圆形、半圆形、正方形、长方形、三角形、多边形其中的一种。
4、根据权利要求1的一种用于制备半导体单晶用的双层坩埚，其特征是，小孔的截面积为5mm2～30mm2。
5、根据权利要求1的一种用于制备半导体单晶用的双层坩埚，其特征是，小孔为半圆形，其直径为3－5mm。
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