[实用新型]可控硅移相调整稳流设备无效

专利信息
申请号: 91210314.0 申请日: 1991-03-20
公开(公告)号: CN2091472U 公开(公告)日: 1991-12-25
发明(设计)人: 郑坤来 申请(专利权)人: 郑坤来
主分类号: G05F1/455 分类号: G05F1/455
代理公司: 辽宁专利事务所 代理人: 侯景明
地址: 110024 辽宁省*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 可控硅 调整 设备
【权利要求书】:

1、可控硅移相调整稳流设备,是由稳流变压器,可控硅控制柜,主控回路组成,其特征在于控制电路的接触器1电容器2分别位于可控硅控制柜的底部,在其上部安装有防水板3,可控硅散热器4位于散热器架上,附件板脉冲变压器5及电路板6位于可控硅控制柜的上层,上方安装有指示电流表7的电压表8,稳流变压器9的三相各低压线圈L2、L3串联于整流变压器与二极管整流电路之间,L3头端与整流变压器二次母线相接,尾端接入二极管整流电路,L2尾端与整流变压器二次母线相接,头端接入二极管整流电路。

2、按照权利要求1所述的可控硅移相调整稳流设备,其特征在于稳流变压器9的三相高压绕组接线方式为A相L1头端通过可控硅10接到A1相,L1头端同时又通过可控硅11接到C5相,L1的尾端接到B3相。

3、按照权利要求1所述的可控硅移相调整稳流设备,其特征在于稳流变压器9的三相高压绕组接线方式为将A相L1头端分别通过可控硅12接到A4相,通过可控硅13接到B6相,尾端接到C2相。

4、按照权利要求1所述的可控硅移相调整稳流设备,其特征在于稳流变压器9的三相高压绕组接线方式为A相L1头端分别通过可控硅接到A1、C5、A4、B6相,尾端分别通过可控硅接到B3相和C2相。

5、按照权利要求2、3、4所述的可控硅移相调整稳流设备,其特征在于消灭高压的可控硅14直接并联在L1两端,稳流变压器三相高压绕组B相和C相的接线方式与A相相序相同。

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