[实用新型]智能高压大功率器件无效
申请号: | 91213190.X | 申请日: | 1991-02-07 |
公开(公告)号: | CN2085564U | 公开(公告)日: | 1991-09-25 |
发明(设计)人: | 茅盘松;朱静远 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088 |
代理公司: | 东南大学专利事务所 | 代理人: | 楼高潮,柯景凤 |
地址: | 210018*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 智能 高压 大功率 器件 | ||
1、一种具有自动限流保护的高压大功率VDMOS器件,由高压压大功率分源VDMOSFET、电阻和过流限制器件T组成,其特征在于VDMOSFET的栅引出端G与栅极G′间设有串联电阻R1,分源端S2通过电阻R2与源引出端S相连接,过流限制器件的三端分别与G′、S2和S相连接。
2、根据权利要求1所述的高压大功率VDMOS器件,其特征在于过流限制器件可由一个双极型晶体管构成,也可以由一个MOS管或两个倒相器和一个MOS管构成。
3、根据权利要求1所述的高压大功率VDMOS器件,其特征在于电阻R2可采用外接电阻。
4、根据权利要求1所述的高压大功率VDMOS器件,其特征在于R1采用多晶电阻,过流限制器件T采用NPN横向晶体管,R2采用磷扩散电阻,过流限制器件和高压VDMOSFET之间采用接源S电位的多晶环。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的