[实用新型]智能高压大功率器件无效

专利信息
申请号: 91213190.X 申请日: 1991-02-07
公开(公告)号: CN2085564U 公开(公告)日: 1991-09-25
发明(设计)人: 茅盘松;朱静远 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H01L27/088 分类号: H01L27/088
代理公司: 东南大学专利事务所 代理人: 楼高潮,柯景凤
地址: 210018*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 智能 高压 大功率 器件
【权利要求书】:

1、一种具有自动限流保护的高压大功率VDMOS器件,由高压压大功率分源VDMOSFET、电阻和过流限制器件T组成,其特征在于VDMOSFET的栅引出端G与栅极G′间设有串联电阻R1,分源端S2通过电阻R2与源引出端S相连接,过流限制器件的三端分别与G′、S2和S相连接。

2、根据权利要求1所述的高压大功率VDMOS器件,其特征在于过流限制器件可由一个双极型晶体管构成,也可以由一个MOS管或两个倒相器和一个MOS管构成。

3、根据权利要求1所述的高压大功率VDMOS器件,其特征在于电阻R2可采用外接电阻。

4、根据权利要求1所述的高压大功率VDMOS器件,其特征在于R1采用多晶电阻,过流限制器件T采用NPN横向晶体管,R2采用磷扩散电阻,过流限制器件和高压VDMOSFET之间采用接源S电位的多晶环。

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