[实用新型]一种钯栅场效应晶体管

说明书

本实用新型涉及一种钯栅MOS器件的结构。

现有钯栅MOS器件的氢敏钯层是复盖在栅区氧化层上的金属栅极，由于钯层与氧化层的粘着不够牢固，往往会从栅区脱落，造成器件失效。

本实用新型的目的是为克服上述现有技术的缺陷，避免钯栅脱落，提高器件的可靠性。

本实用新型钯栅MOS器件结构的特征在于，在器件的漏、源两区金属电极（1，2）与栅区（3）之间的绝缘层（4）上粘附一种与绝缘层和钯层均能牢固粘着的粘结层（5），并使金属栅钯层（6）的边缘扩展至此粘结层上，在栅外边缘处形成钯层一粘结层一绝缘层的牢固粘结结构。

由于钯栅的边缘与器件整体粘结牢固，就可以避免钯栅的脱落。与现有技术相比，本实用新型具有更高可靠性的积极效果。

附图说明

附图为本实用新型钯栅MOS器件结构一项实施例的剖面示意图。其中1为漏区金属电极，2为源区金属电极，3为栅区，4为SiO₂层，5为多晶硅层，6为金属栅钯层。

本实用新型钯栅MOS器件一项实施例的剖面结构示意于附图。该项实施例在器件的漏、源两区金属电极（1，2）与栅区（3）之间的绝缘层为SiO₂层（4），用多晶硅层（5）作为与SiO₂层和钯层均能牢固粘着的粘结层。