[发明专利]半导体热件的制造方法

权利要求书

1、一种半导体热件的制造方法，是在高温下，以锡、锑卤化物为主的溶液喷溅雾化，沉积在耐热绝缘基体上，并在高温下进行热处理，而后进行电老化、热老化和接线，本发明的特征在于基体在喷溅雾化前需要正硅酸乙酯的乙醇溶液进行喷涂，在200～400℃下固化；然后再于300～800℃下进行扩散源的喷溅处理，扩散源所用原料配比为：

卤化锡(SnXn，X=Cl，Br；n=2，4)60.0～99.0%

卤化镁(MgX₂，X=Cl，Br)0.0～2.0%

卤化钛(TiXn，X=Cl，Br；n=2，4)0.0～2.0%

卤化铁(FeXn，X=Cl，Br；n=2，4)0.0～2.0%

卤化锑(SbXn，X=Cl，Br；n=3，4)0.0～2.0%

卤化硼(BX₃，X=Cl，Br)0.0～2.0%

卤化铬(CrX₃，X=Cl，Br)0.0～2.0%

碳酸铅PbCO₃0.0～10.0%

氟化铵NH₄F 0.0～10.0%

配制时用40～70%的无水乙醇、浓度为30%的盐酸和浓度为30～45%的氢氟酸制成的混合溶剂溶解上述组份，必要时加入少量王水。

2、如权利要求1的制造方法，本发明的特征为基体净化方法为：玻璃、搪瓷、陶瓷按顺序用洗涤剂、清水、无离子水洗净，必要时需用5%氢氟酸或10～20%KOH（或NaOH）溶液处理，然后用无离子水、无水乙醇净化，呈中性后干燥;耐温橡胶、塑料及层压耐温绝缘材料采用除尘净化法处理，净化在超净条件下进行。

3、如权利要求1的制造方法，本发明的特征为所述的在基体上沉积热膜后要进行的电老化是在使用电压以下的范围内分成4或5个挡次，在每挡电压下老化10～30分钟;所述的热老化是在室温至使用温度的范围内分成3或4个挡次，在每挡温度下老化4～8小时。

4、如权利要求1的制造方法，本发明的特征为所述的喷溅雾化是在真空密闭下进行。