[发明专利]在大高宽比孔径中淀积导体的方法

权利要求书

1.在基片上淀积一层导电材料的方法，该基片的外形表面包括至少一个高宽比至少为1∶1的凹坑，所述方法的特征在于：

在淀积到所述的基片上以前，所述导电材料的原子通过一个高宽比约为1∶1或更大一些的堆直器。

2.权利要求1的方法，其特征在于：

所述基片是一个集成电路基片，它在设在其上的隔离层中具有多个孔，所述多个孔具有侧壁和一个底，所述多个孔的至少某些个具有1∶1的或更大一些的高宽比；以及

所述导电材料被淀积在所述隔离层上以及其中的所述多个孔的所述侧壁和所述底上。    

3.权利要求2的方法，其特征在于：

所述导电材料是通过所述准直器溅射到所述隔离层上的；以及

所述溅射步骤是在低于0.4Pa的压强下进行的。

4.权利要求3的方法，其特征在于：所述孔的至少某些个具有2∶1的高宽比。

5.权利要求3的方法，其特征在于：所述的导电材料包括钛。

6.权利要求3的方法，其特征在于：所述的导电材料包括氮化钛。

7.权利要求6的方法，其特征在于：所述的溅射步骤是在N₂环境中执行的。

8.权利要求1的方法，其特征在于：

所述在所述基片上淀积一层导电材料是将阻挡层冶金溅射到设置在基片上的隔离体中所限定的接触孔中，所述接触孔的至少某些个具有大于或等于2∶1的高宽比；以及

一个准直器设置在所述基片之上，该准直器至少具有某些高宽比至少为1∶1的开口。

9.权利要求1的方法，其特征在于：

所述基片是一个集成电路基片，它在设在其上的隔离层中具有大高宽比的孔，且所述导电材料是高熔点金属或高熔点金属合金；以及

所述高熔点金属或高熔点金属合金是在低于0.4Pa的压强下通过一个1∶1高宽比的准直器溅射到所述隔离层上的。

10.权利要求9的方法，其特征在于：所述的隔离层中的所述孔的所述大高宽比至少是2∶1。

11.权利要求9的方法，其特征在于：所述高熔点金属是在低于0.13帕斯卡的压强下溅射的。

12.权利要求9的方法，其特征在于：所述高熔点金属包括钛。

13.权利要求9的方法，其特征在于：所述高熔点金属合金包括氮化钛。

14.权利要求13的方法，其特征在于：所述的溅射是在N₂环境下进行的。

15.权利要求1的方法，其特征在于：

所述在所述基片上淀积一层导电材料是将大高宽比的凹坑内导电层溅射到集成电路基片的表面上；

所述准直器设置在所述集成电路基片之上；以及

所述溅射步骤是在压强低于0.4Pa的条件下进行的。

16.权利要求15的方法，其特征在于：所述溅射步骤是在低于0.13Pa的压强下进行的。

17.权利要求1的方法，其特征在于：

所述导电材料层是阻挡层，且所述凹坑是包括上侧壁的孔；以及

所述阻挡层是在提高材料在所述孔中的淀积的条件下溅射的。

18.权利要求1的方法，其特征在于：

所述导电材料层是Ti/TiN阻挡层，且所述凹坑是在基片上设置的钝化层中所形成的孔；

通过一个具有1∶1高宽比开口的准直器将一层钛溅射到所述基片上；以及

通过所述准直器将一层氮化钛溅射到所述钛层上，所述第二溅射步骤是在充分的N₂气环境下进行的。