[发明专利]干刻方法及其应用

权利要求书

1.一种用源气体的等离子体进行等离子体刻蚀衬底表面的方法，它包括以下的工艺步骤：

(1)在衬底上形成阻蚀层；

(2)在上述形成有阻蚀层的衬底上覆盖上一种带有掩膜图案层的硬掩膜层，并用紫外线进行照射；

(3)将经过照射的曝光部分用显影液除去，从而在衬底上形成阻蚀图形；

(4)采用下述混合气体作为源气体，以其离子束对上述形成有阻蚀图形的衬底进行照射，

所述气体混合物包括：

i)对衬底物质呈活性的CF₄或CHF₃气，和

ii)氩气，

而且，其混合比分别为

CF₄∶Ar＝70∶30至10∶90，

CHF₃∶Ar＝50∶50至10∶90，

(5)用O₂等离子体将上述阻蚀图形层灰化除去，由此形成刻蚀的衬底。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底物质是碳化硅(SiC)。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底物质是玻璃。

4.一种制造衍射光栅的方法，它包括以下的步骤：

(1)在衬底板上涂覆一层具有光栅孔图形的阻蚀层；

(2)以等离子体刻蚀衬底，该等离体采用的源气体是下列混合气，

i)对衬底物质呈活性的CF₄或CHF₃气，和

ii)氩气，

而且，其混合比分别为

CF₄∶Ar＝70∶30至10∶90，

CHF₃∶Ar＝50∶50至10∶90.

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述衬底板的材料是碳化硅。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述衬底的材料是玻璃。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述等离子体以倾斜于衬底板的表面且垂直于光栅条的方向辐照。

8.一种碳化硅(SiC)的衍射光栅，其制造步骤是，

(1)在SiC衬底板上涂覆一种具有光栅孔图形的阻蚀层；

(2)用等离子体刻蚀SiC衬底，该等离子体所用的源气体为下列混合气，

(i)对SiC呈活性的气体，以及

(ii)惰性气体。