[发明专利]硅的深槽刻蚀方法

权利要求书

1、一种硅的深槽刻蚀方法，包括淀积掩膜、光刻该掩膜以及刻蚀硅槽的步骤，其特征在于，所说的掩膜是利用蒸发或溅射的方法在硅片表面生长一层300至1000的锆(Zr)或利用反应溅射的方法在硅片表面生长一层300至1000的氮化锆(ZrN)，刻蚀步骤中所用的气体为氟基气体。

2、根据权利要求1所述的硅槽刻蚀方法，其特征在于用氟基气体进行刻蚀的同时，通入以下附加气体：

①氧气和氩气，

②氮气和氩气，或者

③氧气、氮气和氩气。

3、根据权利要求1所述的硅槽刻蚀方法，其特征在于用氟基气体进行刻蚀分2至10次进行，每两次刻蚀之间用等离子氧化或氮化处理硅片，刻蚀时通入的附加气体为：

①氩气，

②氧气和氩气，

③氮气和氩气，或者

④氧气、氮气和氩气;

而等离子氧化（或氮化）时通入的气体为：

①氧气，

②氮气，或者

③氧气和氮气。