[发明专利]镀覆过的钼部件及其制造方法

权利要求书

1、一种包括钼基体并具有钌覆层的制品。

2、一种如权利要求1所述的制品，其中钌直接镀覆在钼基体上。

3、一种如权利要求1所述的制品，其中钌镀覆在选自镍、银、金、钴、铜、铬、铑和钯的一种中间层上，该中间层本身直接镀覆在钼基体上。

4、一种如权利要求1至3中任何一项所述的制品，其中钌的厚度为0.15至0.8μm。

5、一种如权利要求4所述的制品，其中钌的厚度为0.2至0.6μm。

6、一种制造如权利要求1至5中任何一项所述、包括钼基体并具有钌覆层的制品的方法，该方法包括：清理并浸蚀钼基体、需要时在基体上镀覆一层中间层，在钼基体或中间层上镀覆钌层，以及需要时使镀钌基体或可行时使镀中间层及/或钌层的基体在基本不含氧的气氛中进行加热处理。

7、一种如权利要求6所述的方法，其中镀覆中间层，并使中间层在还原性或适宜的惰性气氛或低压气氛中进行加热处理。

8、一种如权利要求6或7所述的方法，该方法还包括在镀覆任何覆层之前，将清理和浸蚀过的钼基体，在还原性气氛或适宜的惰性气氛或低压气氛中进行一次初始加热处理。

9、一种如权利要求6至8中任何一项所述的方法，该方法包括在还原性气氛或适宜的惰性气氛或低压气氛中进行的最终加热处理。

10、一种制造包括镀有钌镀层的钼基体制品的方法，该方法包括，洗理并浸蚀钼基体、需要时将钼基体在还原性气氛或适宜惰性气氛中进行初始加热处理，在钼基体上镀覆一层中间层，将如此制得的产品在还原性气氛或适宜的惰性气氛中进行加热处理，镀覆钌层，以及需要时将产品在还原气氛或适宜的惰性气氛中进行最终加热处理。

11、一种如权利要求6至10中任何一项所述的方法，其中镀覆钌中间层。

12、一种如权利要求6至11中任何一项所述的方法，其中中间层厚度至多为0.1μm。

13、一种如权利要求12所述的方法，其中中间层的厚度至多为0.05μm。

14、一种如权利要求7至13中任何一项所述的方法，其中镀覆中间层后的加热处理，在500至1100℃的温度下进行。

15、一种如权利要求14所述的方法，其中加热处理在750至900℃的温度下进行。

16、一种如权利要求15所述的方法，其中加热处理在800至820℃的温度下进行。

17、一种如权利要求8至16中任何一项所述的方法，其中初始加热处理在500至1100℃的温度下进行。

18、一种如权利要求17所述的方法，其中初始加热处理在750至900℃的温度下进行。

19、一种如权利要求9至18中任何一项所述的方法，其中最终加热处理在200至1100℃的温度下进行。

20、一种如权利要求19所述的方法，其中最终加热处理在500至900℃的温度下进行。

21、一种如权利要求20所述的方法，其中最终加热处理在750至850℃的温度下进行。

22、一种如权利要求6至21中任何一项所述的方法，其中间间层及/或钌面层是用电镀法镀覆的。

23、一种如权利要求22所述的方法，其中在各电镀钌步骤或至少一个电镀钌步骤中，使用含[Ru₂NCl₈（H₂O）₂]^3-5至20g/l（以金属钌计）的电镀液。

24、一种如权利要求6至21中任何一项所述的方法，其中有一层中间及/或钌面层是用气相沉积法镀覆的。

25、一种如权利要求6所述、实质上按说明书所述进行的方法。

26、一种如权利要求6所述、实质上按实施例所述进行的方法。

27、一种包括用权利要求6至26中任何一项所述方法镀覆的钼基体的制品。