[发明专利]激光二极管无效
| 申请号： | 92103575.6 | 申请日： | 1992-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN1097317C | 公开（公告）日： | 2002-12-25 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔Ａ·海斯;郑骅;詹姆斯Ｍ·迪鲁特;邱钧 | 申请（专利权）人： | 明尼苏达州采矿制造公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S3/19 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杨国旭 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 激光二极管 | ||
1.一种II-VI化合物半导体激光二极管，由重叠的材料层形成，其中包括：
第一导电类型的II-VI半导体第一光导层(14)；
相邻第一光导层(14)的第二导电类型的II-VI半导体第二光导层(16)，第一光导层(14)和第二光导层(16)形成一个Pn结；
在第一和第二光导层(14，16)之间的II-VI半导体的量子阱激活层(18)；
第一导电类型的单晶半导体衬底(12)，第一光导层(14)位于所述单晶半导体衬底(12)和第二光导层(16)之间；
第一电极(32)，其中所述衬底(12)位于第一光导层(14)和所述第一电极(32)之间；以及
第二电极(30)，其中所述第二光导层(16)位于第一光导层(14)和所述第二电极(30)之间。
2.如权利要求1的激光二极管，其中的量子阱激活层包括一个应变假晶半导体层。
3.如权利要求1的激光二极管，其中的量子阱激活层包括一个多重量子阱激活层。
4.如权利要求2的激光二极管，其中的量子阱激活层包括一个CdZnSe层。
5.如权利要求4的激光二极管，其中第一和第二光导层包括ZnSe层。
6.如权利要求5的激光二极管，其中的衬底包括一个GaAs衬底。
7.如权利要求5的激光二极管，其中的衬底包括一个ZnSe衬底。
8.如权利要求1的激光二极管，进一步包括：
在衬底和第一光导层之间第一导电类型的II-VI半导体的第一覆盖层；
在第二光导层和第二电极之间的第二导电类型的II-VI半导体的第二覆盖层。
9.如权利要求8的激光二极管，其中：
第一和第二覆盖层包括ZnSxSe1-x层，其中x为0.07；以及
衬底包括一个GaAs衬底。
10.如权利要求8的激光二极管，其中：第一和第二覆盖层包括CdxZn1-xS层，其中x为0.6；以及
衬底包括一个GaAs衬底。
11.如权利要求8的激光二极管，其中：第一和第二覆盖层包括CdZnS层；以及
衬底包括一个ZnSe衬底。
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