[发明专利]偏转线圈装置无效

专利信息
申请号: 92104764.9 申请日: 1992-06-18
公开(公告)号: CN1027844C 公开(公告)日: 1995-03-08
发明(设计)人: 城雄作;北原健 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝AVE株式会社
主分类号: H01J29/70 分类号: H01J29/70
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 姜华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 偏转线圈 装置
【说明书】:

发明涉及彩色电视机及显示装置使用的偏转线圈装置。

近年来,彩色电视机用的阴极射线管装置(以下称为CRT)正在向大偏转角和显像屏的平面化方向发展,同时谋求提高图像质量。作为CRT使用的偏转线圈系统,通常是自由聚焦系统,并且多数是不需要偏转失真补偿电路的无枕形失真系统。

自由聚焦系统和无枕形失真系统的偏转线圈装置由水平偏转线圈和垂直偏转线圈构成,为了能够自由聚焦,水平偏转线圈形成枕形磁场分布,垂直偏转线圈形成筒形磁场分布。此外,在前面还设置了左右一对磁性片(以下称为横臂),其主要目的是为了修正左右线圈失真。

如果电子束的偏转角度进一步大角度化,并且显像屏进一步平面化,则上下线圈失真和左右线圈失真将增大。通常,为了修正线圈失真,必须进一步使偏转线圈装置前面的磁场分布达到显著的枕形形式。

但是,为了获得枕形磁场分布,利用水平偏转线圈及垂直偏转线圈本身的线圈分布等进行处理时,图像画面左右两端的上、下两部分的中间处纵向聚焦失调(M-PQV)将会增大。而为了减小纵向聚焦失调(M-PQV),通过调整水平偏转线圈的线圈分布,可以使之减小到某种程度,但是,减小的程度是有限的,同时,还会引起图像四角部分的纵向聚焦失调(PQV),它与图像上下对半分开相对应。即,调整水平偏转线圈的线圈分布使纵向聚焦失调(M-PQV)减小时,四角部分的纵向聚焦失调(PQV)将增大。

另外,对于显示装置等使用的偏转线圈装置,例如特公平1-29018号提出了用附加补偿电路来修正聚焦失调M-PQV、PQV的方法,但是,补偿电路部分的成本太高。

如上所述,如果采用原有的装置,存在聚焦失调PQV、M-PQV大的问题,而如果采用附加补偿电路修正聚焦失调的方法,又存在成本高的问题。

本发明的目的旨在提供一种无枕形失真的偏转线圈装置,该装置可以实现聚焦失调PQV、M-PQV更小的聚焦。

为了达到上述目的,本发明的作法如下,即偏转线圈装置包括线圈隔离器11、一对鞍形水平偏转线圈12a及12b、垂直偏转线圈14a及14b、和一对管颈侧的磁性片15a及15b,线圈隔离器的整体形状基本上是和显像管的管颈及漏斗形锥体交界附近的外周一致的中空结构,在靠近上述漏斗形锥体一边的前部具有凸缘;一对鞍形水平偏转线圈12a及12b分别相对地配置在上述线圈隔离器11的内周上下两侧;垂直偏转线圈14a及14b呈喇叭口形地环绕在配置在上述线圈隔离器11的外周上的线轴形状的磁心13上;一对管颈侧的磁性片15a及15b配置在上述垂直偏转线圈和上述线圈隔离器11之间并且是在上述线圈隔离器11的管颈一侧的上下两边。根据本发明,在上述偏转线圈装置中设置了第1、第2横臂(磁性片)16a及16b和4个永久磁铁(17a~17d),第1、第2横臂16a及16b左右相对地设置在上述线圈隔离器11的前部凸缘11a上,并且上述第1、第2横臂16a及16b在沿着上述线圈隔离器11的外周分别朝上下方向伸出,y轴方向的各端部相互靠近,在各个端部设置了磁场形成部件(161~164);4个永久磁铁(17a~17b)配置在上述线圈隔离器11的前部凸缘11a上,并且分别配置在以管轴为中心与沿图像画面左右方向延伸的x轴大约成10°的各个位置上,基本上具有沿上述管轴方向的磁化方向。

利用上述手段,为了使横臂的磁场形成部分靠近y轴而修正上下线圈失真,反而增大了左右线圈失真。为了修正该左右线圈失真使垂直偏转线圈产生的磁场分布呈枕形磁场分布,配合聚焦,利用管颈侧上下配置的一对磁性片可使垂直偏转磁场分布总体上呈筒形磁场分布。另外,利用4个永久磁铁可以修正聚焦失调M-PQV。

图1A是偏转线圈装置的外观斜视图,图1B是设置在图1A所示偏转线圈装置上的横臂说明图,图1C和图1D的聚焦失调的说明图。

图2A表示从正面观察到的本发明的一个实施例的偏转线圈装置的前视图,图2B表示从侧面观察到的本发明的一个实施例的偏转线圈装置的侧视图。

图3A是为了说明本发明的偏转线圈装置的动作而表示的横臂磁场的说明图,图3B表示偏转线圈装置引起的偏转失真模式的说明图,图3C及图3D是偏转线圈装置引起的聚焦失调的说明图。

图4A及图4B是为了说明本发明的偏转线圈装置使用的永久磁铁的作用的说明图。

图5A是本发明的偏转线圈装置的其它实施例的外观图。

图5B是将图5A的一部分取出而表示的结构说明图。

下面,参照附图说明本发明的实施例。

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