[发明专利]截球形基质镀膜的装置和设备无效
申请号: | 92104777.0 | 申请日: | 1992-06-19 |
公开(公告)号: | CN1031146C | 公开(公告)日: | 1996-02-28 |
发明(设计)人: | H·-W·埃茨科恩;H·克吕梅尔;G·魏德曼;V·帕凯 | 申请(专利权)人: | 肖特玻璃制造厂 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/50 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 李恩泰,林道棠 |
地址: | 联邦德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 截球 基质 镀膜 装置 设备 | ||
1.对带有介电膜系的截球形基质内表面,特别是带有冷光型镜面膜的反射器内表面镀膜的装置,包括一个镀膜室,该镀膜室由截球形基质和与该基质组合在边缘上并形成气密式连接的承受器部分所限定,一条进气通道和一条排气通道汇入承受器部分,该部分有一个具有一个或者若干通道的、用于限制待反应气体层的挤压体,该装置还包括在待反应气体层中激发等离子体区的设备,本发明的特征是,至少有两个镀膜室(12a、12b、12c、12d)并列构成一个截球体镀膜台(1),该截球体镀膜台通过气体管道和一台由全部镀膜室(12a-d)所共用的气体发生器(146)和一台共用的真空泵(90)相连接,其中气体管道各形成一个对称式气体管道系统(175,95),与距气体发生器(148)和真空泵(90)的距离(x)相关的各气体管道的横截面面积QA(x)和横截面形状QF(x)基本相同。
2.如权利要求1所述的装置,其特征是,气体管道系统(95,175)由精密管(91-93、170-172)制成。
3.如权利要求1所述的装置,其特征是,承受器部分(180)设置成在至少一块共用实心板(10-40)上的孔隙(14,22),在板内对称式气体管道系统(95,175)构成气体通道(24-28、32、42、23、33、34、43)。
4.如权利要求3所述的装置,其特征是,镀膜室(12a至12d)是配置在一个圆周上,进气道(24、25、26)和排气道(23、33、34)自截球体镀膜台(1)的中心呈星形和镀膜室相通,该中心各与一个主进气道(27、28、32、42)和一个主排气道(43)相通。
5.如权利要求4所述的装置,其特征是,至少有两块板(10、20、30、40)相互重叠在一起,其中的进气道(24至48、32、42)和排气道(23、33、34、43)仅由板表面上的钻孔和铣槽构成。
6.如权利要求5所述的装置,其特征是,在板(10、20、30、40)之间设有密封件。
7.如权利要求5所述的装置,其特征是,密封件是由硅橡胶或聚四氟乙烯制成的密封垫片(21、31、41),该密封垫片至少部分地具有与板(10、20、30、40)上开的通孔相对应的开口(44、45)。
8.如权利要求3所述的装置,其特征是,每个板(10、20、30、40)的至少一个接触表面(101、104、105、108、109、112)上设有弹性体隔层。
9.如权利要求3所述的装置,其特征是,板(10、20、30、40)由金属或塑料制成。
10.如权利要求3所述的装置,其特征是,板(10、20、30、40)上设有耐气蚀涂层。
11.如权利要求1所述的装置,其特征是,在喷嘴体(9)上装有可做轴向调整的挤压体(51)。
12.如权利要求11所述的装置,其特征是,喷嘴体(9)为至少有两块喷嘴板(50、60、70、80)的多层结构,喷嘴板具有方位导气槽或通道(55、56、66、75、76)。
13.如权利要求12所述的装置,其特征是,每个喷嘴板(50、60、70、80)上均设有一个环形槽(55、65、75),该环形槽通过连接通道(56、66、76)与相邻喷嘴板的环形槽(55、65、75)相通,并且相邻喷嘴板的连接通道的位置相互错开布置。
14.如权利要求12所述的装置,其特征是,连接通道(56、66、76)的数量朝着截球形基质(13)的方向逐块喷嘴板递增。
15.如权利要求1所述的装置,其特征是,在对称式气体管道系统(175)和气体发生器(146)之间设有配气装置(160)。
16.如权利要求1所述的装置,其特征是,激发等离子体区的装置由附属于截球体镀膜台(1至8)的共用微波装置组成,该微波装置包括一个带有脉冲发生器的磁控管(130、141)。
17.如权利要求16所述的装置,其特征是,在截球形基质(13)之上设有一个可以下降到截球体镀膜台(1至8)上、中部装有磁控管(141)的谐振器箱体(142)。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的