[发明专利]Δ-掺杂量子阱场效应晶体管的制作方法无效
| 申请号： | 92105604.4 | 申请日： | 1992-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN1025091C | 公开（公告）日： | 1994-06-15 |
| 发明（设计）人： | 丁润夏;郑东皓;张景植 | 申请（专利权）人： | 浦项综合制铁株式会社;产业科学技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L21/337 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 姜华 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂 量子 场效应 晶体管 制作方法 | ||
1、一种制作△-掺杂量子阱场效应晶体管的工艺方法，包括：依次形成基片、超晶格、缓冲层、量子阱、覆盖层以及欧姆层等各工艺步骤，以及在所述覆盖屋上和在所述欧姆层上，用金属化和剥离工艺形成源极、漏极以及栅极等各工艺步骤，
所说的量子阱的形成步骤进一步包括：
将三甲基镓和胂引入一反应腔内的步骤；
通过使用有机化学汽相淀积工艺形成一个第一GaAs量子阱的步骤；
将Si杂质掺入所述第一量子阱的步骤；以及
将三甲基镓和胂引入所说的反应腔内，在与形成所述第一量子阱时相同的条件下，形成一个第二量子阱的步骤。
2、如权利要求1所请求保护制作△-掺杂量子阱场效应晶体管的工艺方法，其中所述有机金属化学汽相淀积工艺是在650-750℃温度范围内进行的。
3、一种如权利要求1所请求保护的制作△-掺杂量子阱场效应晶体管的工艺方法，其中所述第一和第二量子阱的组合厚度在100-200范围内。
4、一种如权利要求1所请求保护的制作△-掺杂量子阱场效应晶体管的工艺方法，其中向所述第一量子阱做Si△-掺杂的杂质是SiH4。
5、一种如权利要求1所请求保护的制作△-掺杂量子阱场效应晶体管的工艺方法，其中向所述第一量子阱做Si△-掺杂的杂质是Si2H6。
6、一种如权利要求1所请求保护的制作△-掺杂量子阱场效应晶体管的工艺方法，其中△-掺杂范围是2-5×1012/cm2。
7、一种如权利要求1所请求保护的制作△-掺杂量子阱场效应晶体管的工艺方法，其中在实现△-掺杂之前和之后，都在76乇压力下，分别进行15秒和7秒的排气。
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