[发明专利]一种具有双负阻特性的负阻器件无效
| 申请号： | 92105623.0 | 申请日： | 1992-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN1035849C | 公开（公告）日： | 1997-09-10 |
| 发明（设计）人： | 郭维廉 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L27/26 | 分类号： | H01L27/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 双负阻 特性 器件 | ||
【权利要求书】：
1，一种复合式三端负阻器件，其特征在于：它是由一n沟耗尽型MOS管，一PnP型双极管和该双极管集电极串联电阻Rc集成而得，其中MOS管的栅极通过电阻Rc与PnP双极管集电极相连，MOS管的漏极与PnP双极管基极相连，MOS管的源极，PnP双极管发射极和MOS管的栅极分别为负阻器件的基极，发射极和集电极。
2，按照权利要求1所述的一种复合式三端负阻器件，其特征在于：(1)n沟耗尽型MOS管以″栅包漏″形式设置在n型外延层中的P阱中；(2)PnP双极管采用横向结构和电阻Rc设置在n型外延层上；(3)其中MOS管的栅极通过电阻Rc与PnP双极管集电极相连，MOS管的漏极与PnP双极管基极相连，MOS管的源极，PnP双极管发射极和MOS管的栅极分别为负阻器件的基极，发射极和集电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学，未经天津大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/92105623.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：苦卤和氯化钾制备硫酸钾的方法
- 下一篇：可溶性止血织物
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
