[发明专利]一种高压晶闸管制造方法及装置

权利要求书

1、一种高压晶闸管制造方法，采用铝乳胶源涂布与气相镓杂质相结合的掺杂方法，其特征在于：扩散工艺是分步进行的，

1).先在N型硅片上涂布铝源进行铝扩散，

2).然后扩铝硅片经单面抛光、热氧化，

3).预扩镓，

4).最后完成铝镓再分布，

镓掺杂和铝镓再分布的全过程是在热氧化膜和氮气氛保护下在同一扩散炉内完成。

2、根据权利要求1所述的一种高压晶闸管制造方法，其特征为，所说的铝源是硝酸铝掺入二氧化硅乳胶(6-11％)或无水乙醇中，比例为1克：8—20毫升，在清洁干燥的N型硅片的两面均匀的涂布上铝乳胶源。

3、根据权利要求1所述的一种高压晶闸制造方法，其特征为，所说的铝扩散，涂布铝乳胶源硅片先在200—250℃、大氮(500—800毫升/分)气氛下预烘20—30分钟，扩散炉恒温后，计时进行铝扩散，片温为1240—1260℃，扩散时间2一15小时，氮气为50—100毫升/分，扩铝结束，以1.5—2℃/分的速度进行慢降温，降到700—750℃时，改为自然降温，Vsp＝100—300mv，Xj＝20—80um。

4、根据权利要求1所述的一种高压晶闸管制造方法，其特征为，扩铝硅片先在氢氟酸中泡60—90分钟，再按常规工艺，对硅片进行单面抛光，抛去表面缺陷层。

5、根据权利要求1所述的一种高压晶闸管制造方法，其特征为，进行热氧化时，片温1180—1210℃，氧气流量500—800毫升/分，氧化时间8—9小时，干氧和湿氧交替法，在表面生长一层10000—12000埃的SiO₂膜。

6、根据权利要求1所述的一种高压晶闸管制造方法，其特征为，所说的预扩镓，片温1200—1250℃。源温为860—1050℃，氢气流量为100—200毫升/分，通源时间为25—100分钟。V_sp＝5—25mv。

7、根据权利要求1所述的一种高压晶闸管制造方法，其特征为，所说的铝镓再分布，片温为1250—1270℃，再分布时间为10—30小时，氮气为50—100毫升/分，再分布结束，要以1一1.5℃/分的速度慢降温，温度降到600—650时，改为自然降温，在200℃以下取片，Vsp＝10—50mv，Xj＝60—120um。

8、一种适于权利要求1所述方法的扩散装置，由加热炉体、炉温控制部分、扩散装置构成，其特征在于。扩散装置的石英管6长180—200cm，无内扩散管。有两个气路，只有一个磨口2。