[发明专利]单垒量子阱注入渡越时间半导体器件无效
| 申请号： | 92107567.7 | 申请日： | 1992-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN1024608C | 公开（公告）日： | 1994-05-18 |
| 发明（设计）人： | 薛舫时 | 申请（专利权）人： | 机械电子工业部南京第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/88 | 分类号： | H01L29/88 |
| 代理公司： | 江苏省专利服务中心 | 代理人： | 叶立剑,沈根水 |
| 地址： | 210016*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 量子 注入 时间 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1、一种单垒量子阱注入渡越时间半导体器件，包括：一n+砷化镓(GaAs)衬底1，在其上是一n+砷化镓缓冲层2，再在其上是一n砷化镓漂移区层3，再在其上是一n+砷化镓掺杂尖峰层4，再在其上是量子阱结构层5，再在其上是一n+砷化镓顶层6；其特征在于：量子阱结构层5是由一层异质半导体构成单垒量子阱，n砷化镓漂移区层3的厚度等于载流子饱和漂移速度除以振荡频率。
2、根据权利要求1的单垒量子阱注入渡越时间半导体器件，其特征在于：所述的一层异质半导体是砷化铝（AlAs）。
3、如权利要求1的单垒量子阱注入渡越时间半导体器件，其特征在于：所述的一层异质半导体是磷化铝（AlP）。
4、如权利要求1的单垒量子阱注入渡越时间半导体器件，其特征在于：所述的一层异质半导体是磷化镓（GaP）。
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