[发明专利]半导体基体材料的制作方法

权利要求书

1．半导体基体材料的制作方法，特征是：该方法包括使硅基体形成多孔性的工序；在该形成了多孔性硅基体上用第一种温度形成非多孔性硅单晶层的工序；将该非多孔性硅单晶层的表面贴合在表面上有绝缘物的另一个基体上的工序；用化学腐蚀方法将该贴合后的基体上的上述多孔性硅除去的多孔性硅的腐蚀工序；以及用比上述第一种温度高的第二种温度，在上述非多孔性磋单晶层上，通过外延生长形成单晶硅层的工序。

2．根据权利要求1所述的方法，其上述表面有绝缘物的另一基体是透光性玻璃基体。

3．根据权利要求1所述的方法，其上述表面有绝缘物的另一基体是由硅基体构成的。

4．根据权利要求1所述的半导体基体材料的制作方法，特征为用上述第二种温度外延生长单晶硅层的方法是CVD法。

5．根据权利要求1所述的半导体基体材料的制作方法，在上述多孔性硅基体上用第一种温度形成的上述非多孔性硅单晶层和用第二种温度形成的单晶硅层的总厚度小于100微米。

6．根据权利要求1所述的半导体基体材料的制作方法，其上述用第一种温度形成的非多孔性硅单晶层是利用外延生长法形成的。

7．根据权利要求1所述的半导体基体材料的制作方法，其上述用第一种温度形成的非多孔性硅单晶层，可从偏压溅射法、分子线外延生长法、等离子体CVD法、光CVD法、液相生长法及CVD法中选择一种方法形成。

8．根据权和要求1所述的半导体基体材料的制作方法，特征为：上述第二种温度大于900℃。

9．根据权利要求1所述的半导体基体材料的制作方法，其上述形成多孔性的工序是阳极氧化。

10．根据权利要求9所述的半导体基体材料的制作方法，其上述阳极氧化在BF溶液中进行。

11．根据权利要求1所述的半导体基体材料的制作方法，特征是：将上述多孔性硅面以外的表面涂敷上防蚀膜后，再进行上述腐蚀工序。