[发明专利]制作厚膜/焊料接缝的方法无效
申请号: | 92109715.8 | 申请日: | 1992-08-21 |
公开(公告)号: | CN1073385A | 公开(公告)日: | 1993-06-23 |
发明(设计)人: | V·P·修泰 | 申请(专利权)人: | E·I·内穆尔杜邦公司 |
主分类号: | B23K1/20 | 分类号: | B23K1/20 |
代理公司: | 上海专利事务所 | 代理人: | 林蕴和 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制作 焊料 接缝 方法 | ||
1、一种制作具有预选面积的厚膜/焊料接缝的方法,其特征在于它包括以下各相继的步骤:
(1)在非导电性基片上涂覆以布成图型具有预先选定的焊料衬垫区的第一层导电性组合物厚膜,该组合物由以下分散的微细颗粒组成:(a)85.0-98.5%(重量)纯的未合金化韧性导体金属或其低合金,其粒度为0.5-5微米,(b)1-10%(重量)玻璃料,和(c)0.5-5.0%(重量)生成尖晶石的金属氧化物,(a)、(b)和(c)全都分散在有机介质中;
(2)焙烧第一层导电性组合物厚膜,使有机介质从其中挥发,并实现无机粘合剂的液相烧结;
(3)在焙烧过的第一层导体厚膜上,只在焊料衬垫区上覆盖第二层导电性组合物厚膜,该组合物包含(a)94.0-99.3(重量)纯的未合金化的金属(金、银或铜)或者其低合金,其粒度为0.5-10微米,(b)0.2-1.0%(重量)玻璃料,和(c)0.5-5.0%(重量)形成尖晶石的金属氧化物,(a)、(b)和(c)全都分散在有机介质中;
(4)焙烧第二层导体厚膜,使有机介质从其中挥发,并实现无机粘合剂的液相烧结;
(5)在焙烧过的第二层导体厚膜的焊料衬垫区上,涂覆以熔点为120-300℃的软焊料层,以形成焊料接缝。
2、如权利要求1所述的方法,其特征在于在步骤(5)之前,将分散在有机介质中的细微颗粒粒玻璃构成的厚膜电介质组合物的图案,涂覆在围绕焊料衬垫区的基片露出区域上以及焊料衬垫区内厚膜导体的外沿上,然后焙烧该电介质层,使有机介质从其中挥发,并实现玻璃的液相烧结。
3、如权利要求1所述的方法,其特征在于焊料层的涂施方法是将厚膜焊料膏印刷在焊料衬垫区上,并使焊料膏干燥以去除其中的有机溶剂。
4、如权利要求1所述的方法,其特征在于焊料层的涂施方法是将焊料衬垫区浸入熔融的焊料浴中,使在其上形成一焊料涂层,然后将焊料衬垫区从熔融的焊料浴中取出,再将涂施的焊料涂层冷却。
5、如权利要求2所述的方法,其特征在于厚膜电介质层中的玻璃在焙烧条件下是可结晶化的。
6、如权利要求1或2所述的方法,其特征在于第一导体层中的导体金属或低合金的主要金属是Ag,而第二导体层中的导体金属或低合金的主要金属是Cu。
7、一种制作具有预选面积的厚膜/焊料接缝的方法,其特征在于它包括以下各相继的步骤:
(1)在非导电性基片上涂以布成图型、具有预先选定的焊料衬垫区的厚膜导电性组合物层,该组合物由以下分散的细微颗粒组成(a)85.0-98.5%(重量)选自金、银、铜的未合金化的纯导电性金属或其低合金,其粒度为0.5-5微米,(b)1-10%(重量)玻璃料,和(c)0.5-5.0%(重量)形成尖晶石的金属氧化物,(a)、(b)和(c)全都分散在有机介质中;
(2)焙烧该厚膜导电性组合物层,使有机介质从其中挥发,并实现无机粘合剂的液相烧结;
(3)在焊料衬垫区周围的基片的露出面积上以及在焊料衬垫区内厚膜导体的外沿上涂覆以厚膜电介质组合物,它由分散在有机介质中的细微玻璃颗粒构成;
(4)焙烧该厚膜电介质组合物,使有机介质从其中挥发,并实现其中玻璃的烧结;
(5)在焊料衬垫区内仍然露出的厚膜导体组合物的表面上,涂覆以一层熔点为120-300℃的软焊料,以形成焊料接缝。
8、如权利要求7所述的方法,其特征在于焊料层的涂施方法是将厚膜焊料膏印刷在焊料衬垫区上,并使焊料膏干燥以去除其中的有机溶剂。
9、如权利要求7所述的方法,其特征在于焊料层的涂施方法是将焊料衬垫区浸入熔融的焊料浴中,使在其上形成一焊料涂层,然后将焊料衬垫区从熔融焊料浴中取出,再将涂施的焊料涂层冷却。
10、如权利要求7所述的方法,其特征在于厚膜电介质层中的玻璃在焙烧条件下是可结晶化的。
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