[发明专利]快速等离子处理的设备和方法

权利要求书

1.一种基片涂覆设备，其特征在于包括：

易抽真空的反应室；

用于在该反应室内由能在一基片上淀积粘附涂层的薄膜成形气流形成等离子体的装置，该等离子形成装置包括一个在该反应室内限定平行于轴线延伸的弧形的面对等离子体的表面的供电电极；

通过将面对等离子体的表面与基本滚动接触而电气连通所述电极至基片，并在等离子淀积期间使基片的连续可变部分暴露于等离子体中的装置；及

用于将等离子体限制在毗邻所述基片的连续可变部分的约束装置，该约束装置包括与面对等离子的表面同轴的接地护罩，所述磁性装置包括至少一个毗邻所述护罩的磁极对，用于产生伸入等离子体中并与面向等离子体的表面相交的磁场。

2.如权利要求1所述的设备，其特征在于所述供电电极相对于所述约束装置为负偏置的。

3.如权利要求1所述的设备，其特征在于所述约束装置将等离子体限制在所述基片可变部分并约束于由此向外大约0.5英寸至12英寸之间的一个距离△范围内。

4.如权利要求3所述的设备，其特征在于所述接地护罩与基片可变部分相距至少△距离被冷却，以及等离子体基本被约束在所述基片可变部分和护罩之间。

5.如权利要求4所述的设备，其特征在于所述反应室的真空度在基片受等离子体处理期间适于维持在约小于0.1乇的情况下。

6.如权利要求5所述的设备，其特征在于所述等离子体形成装置包括一个与所述接地护罩有关的入口，用以将一薄膜形成气流从其所述气源引入所述距离△中。

7.如权利要求1的所述设备，其特征在于所述面向等离子体的表面为圆柱形的。

8.如权利要求7所述的设备，其特征在于所述基片基本上是非导电体并是柔软的。

9.如权利要求1的所述的设备，其特征在于所述基片实质上是导电的，以及所述面向等离子体的表面是由该基片形成的。

10.如权利要求4所述的涂敷设备，其特征在于所述距离△约为2英寸至4英寸左右之间。

11.如权利要求4所述的涂敷设备，其特征在于所述接地护罩被冷却并与基片的可变部分至少相距△。

12.如权利要求4所述的涂敷设备，其特征在于面向等离子体的表面为弧形并沿一轴线纵向延伸，所述护罩与其同轴。

13.如权利要求4所述的涂敷设备，其特征在于磁性装置包括至少一个毗邻所述护罩的磁极对。

14.如权利要求4所述的涂敷设备，其特征在于所述负向偏置装置包括在真空室内限定一个面向等离子体的表面的电极，而且所述基片可变的部分在涂敷期间与其滚动接触。