[发明专利]耐高压隔离式霍尔效应位移传感器

权利要求书

1、一种耐高压隔离式霍尔效应位移传感器，它包括非导磁体外壳、隔离套、导磁体活动芯棒、导磁体、磁钢和霍尔元件，本发明的特征是：在非导磁体外壳[4]内的隔离套[2]上装有两块能够成封闭磁场的导磁体[6]，在两块导磁体[6]下端形成的间隙内，左、右分别装有磁钢[5]和霍尔元件、放大器电路。

2、根据权利要求1所述的霍尔效应位移传感器，其特征是：霍尔元件[7′]输出端经电阻R₁接集成放大器A₂的反相端，电阻R₈、R₉、电位器RP₂构成串联回路，由RP₂活动端经电阻R₄接放大器A₂的同相端，电阻R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、温度补偿电阻R₇、增益调节电位器RP₁、集成放大器A₂、积分电容C₁组成放大器电路[9]。

3、根据权利要求1所述的霍尔效应位移传感器，其特征是：它包括霍尔元件[7′]、[7″]其输出端分别经电阻R₁₀、R₁₃接放大器A₁的反相端、同相端，电阻R₁₀、R₁₁、R₁₂、R₁₃、R₁₄、R₁₅、温度补偿电阻R₁₆、增益调节电位器RP₃、集成放大器A₁、积分电容C₂组成前置放大器电路[8]，其输出端经电阻R₁与放大器电路[9]连接。