[发明专利]一种电热膜的制造方法和所制成的电热膜

权利要求书

1、一种半导体电热膜的制膜方法，其特征在于在低真空度下制膜，在真空度为10⁵-10Pa的装置中，用真空加热熏蒸法把含有三氯化铋，并分别含有三氯化锑或三氯化铁或四氯化钛等阻值调节剂的四氯化锡乙醇处理液，附着于200-380℃的工件表面，热解形成掺有铋，并分别掺有锑或铁或钛的二氧化锡半导体电热膜，所说的处理液的组成(重量％)为：0.1-0.6的三氯化铋，0.3-2.0的阻值调整剂，40-50的四氯化锡及平衡量的乙醇。

2、按照权利要求1所述的半导体电热膜的制膜方法，其特征在于制成掺有锑、铋的二氧化锡半导体电热膜，是用含有三氯化铋和三氯化锑的四氯化锡乙醇溶液为处理液，其组成(重量％)为：0.1-0.5的三氯化铋，0.5-2.0的三氯化锑，44-49的四氯化锡及49-53的乙醇。

3、按照权利要求1所述的半导体电热膜的制膜方法，其特征在于制成掺有铁、铋的二氧化锡半导体电热膜，是用含有三氯化铋和三氯化铁的四氯化锡乙醇溶液为处理液，其组成(重量％)为：0.1-0.4的三氯化铋，0.2-0.8的三氯化铁，45-50的四氯化锡，49-54的乙醇。

4、按照权利要求1所述的半导体电热膜的制膜方法，其特征在于制成掺有铋和钛的二氧化锡半导体电热膜，是用含有三氯化铋和四氯化钛的四氯化锡乙醇溶液为处理液，其组成(重量％)为：0.1-0.5的三氯化铋，0.3-1.0的四氯化钛，45-49的四氯化锡和49-54的乙醇。

5、用权利要求1所述的制膜方法，可以得到在二氧化锡中掺有铋，并分别掺有锑或铁或钛等阻值调整微量组分的半导体电热膜。