[实用新型]三相电缺相保护装置无效
申请号: | 92208541.2 | 申请日: | 1992-05-06 |
公开(公告)号: | CN2117660U | 公开(公告)日: | 1992-09-30 |
发明(设计)人: | 赵定成;胡济全 | 申请(专利权)人: | 赵定成;胡济全 |
主分类号: | H02H3/253 | 分类号: | H02H3/253;H02H7/09 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 230000 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 三相 电缺相 保护装置 | ||
1、一种三相电源保护装置,主要是以双向可控硅SCR为核心而形成的,双向可控硅SCR的第一电极T1与第二电极T2一端直接与三相交流电的B相相联,另一端串联负载后与三相交流电的A相相接,其特征是双向可控制硅SCR控制极串联限流电子无件后与三相交流电的C相相联。
2、根据权利要求1所述的一种三相电缺相保护装置,其特征是双向可控硅SCR的触发极G上串联的限流电子元件为一只电阻R。
3、根据权利要求1或2所述的一种三相电缺相保护装置,其特征是双向可控硅SCR的T1、T2两端并联有由电容C和电阻R1串联构成的尖脉冲吸收电路。
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