[实用新型]大视场光敏接收器无效
申请号: | 92245768.9 | 申请日: | 1992-12-29 |
公开(公告)号: | CN2158578Y | 公开(公告)日: | 1994-03-09 |
发明(设计)人: | 丁振芳;王志强;李哲 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械研究所 |
主分类号: | H01L31/10 | 分类号: | H01L31/10 |
代理公司: | 中国科学院长春专利事务所 | 代理人: | 梁爱荣 |
地址: | 吉林省长*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 视场 光敏 接收器 | ||
本实用新型属于半导体技术领域中用于大视场范围的一种光敏接收器。
现有的硅光敏接收器是在平面的硅衬底上用半导体平面工艺技术制作成平面形的PN结,这种器件如果不附加其它的光学系统,则它的视场角很小,它的视场角最大只有±45℃,它不能满足测量动态发光体空间位置的需要。
本实用新型的目的是解决光敏器件视场角小的问题,满足测量动态发光体空间位置的需要。
本实用新型如图1和图2所示:半导体衬底(4)上形成杂质扩散层(3)构成PN结,在PN结的两面制作上电极(2)和(5),非光敏区用二氧化硅层(1)做PN结的保护,本实用新型的特点是:采用柱面形或者球面形的半导体衬底(4),形成柱面形或者球面形的PN结。当一定波长的光入射到接收器的光敏面时,就在外路形成光电流。
本实用新型由于半导体衬底采用柱面形和球面形,则接收器的光敏面是柱面形或球面形,所以不用附加其它的光学系统,接收器就具有很大的视场角,从而满足了测量动态发光体的空间位置的需要。
本实用新型的最佳实施例如图1所示首先把半导体材料加工成圆桶形的衬底(4)。如图2所示首先把半导体材料加工成球面形的衬底的衬底(4),然后在衬底(4)上做成PN结,在PN结两面形成欧姆接触并且做上电极2和5的外引线,半导体衬底(4)可选用硅单晶、砷化镓、锗等材料。
图1是本实用新型柱面形光敏接收器的结构示意图。
图2是本实用新型球面形光敏接收器的结构示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的