[发明专利]阴极射线管的偏转系统

说明书

本发明涉及一种与显示装置的阴极射线管配用的偏转系统(deflection yoke)，特别涉及一种具有用来消除偏转系统在显示装置周围所产生的不希望有的磁场辐射的消除线圈的偏转系统。

最近的趋势是将显示装置周围不希望有的磁辐射限制在不高于预定值的水平。其中，在5赫至2千赫频率范围的极低频(ELF)带和2千赫至400千赫频率范围的甚低频(VLF)带下，这类不希望有的磁场有一部分是作为漏磁场由装在阴极射线管上的偏转系统产生的。尤其是VLF频带的漏磁所涉及的频率范围对人体可能会产生有害的影响，因而需要采取减少该漏磁量的专门措施。

迄今已提出的采用校正线圈抑制这类漏磁的方法有多种多样，例如1988年6月第31卷第1期的IBM技术公报(IBM Technical DisclosureBulletin)第119至122页上、美国专利4,922,167、对应于意大利专利申请22475A/88的日本专利公开2-123647和美国专利5,049,847中都公开了这类方法。

其中，实现上述措施最有效的方法是在偏转系统上装上一个消除线圈，供消除漏磁之用。

图7示意性地示出了一般消除不希望有的磁场辐射的消除线圈系统，对应于欧洲专利申请88305986.7的日本专利公开2-46085中即公开了这种系统。

如图7中的实线箭头所示，显示装置的前后部位12存在偏转系统9产生的漏磁场。偏转系统9前端部分的上方和下方分别配置有一对形成消除线圈的环形线圈4，与阴极射线管10的轴线(Z)成一定的角度。

环形线圈4加上水平偏转电流时产生磁场6，反向朝向由偏转系统9产生的不希望有的漏磁场7，如图中的虚线所示。

这种用以消除显示装置前后各部位漏磁场的一般消除线圈系统不可避免地也会消除掉偏转系统附近有用的偏转磁场的各部分。在这种情况下，必然使电子束通过偏转场的轨迹发生变化，从而使偏转系统的性能变坏。有用磁场受到这种不希望有的消除作用而影响偏转系统的性能之一即所谓“误着屏”(mislanding)或“纯度失调”(purity-offset)。这是电子束的偏转中心在磁场消除作用的影响下偏移引起的。

图8示出了显示装置周围由偏转系统引起的不希望有的漏磁场辐射的分布情况，其中图8(a)示出了以阴极射线管10为圆心的圆上的各点，该圆处在阴极射线管10的轴线(Z)所在的水平平面(Y＝0)上，圆的半径等于阴极射线管全长的一半加50厘米，磁场强度即在圆上的上述各点上测定出，各点彼此之间间隔22.5度角；图8(b)则示出了极坐标上各点处测出的漏磁场强。

出于偏转系统9结构上的原因，阴极射线管10前面部位测出的不希望有的磁辐射场强大于后面部位测出的场强。因此，需要在管子前面部位产生大于管子后面部位的消除磁场。日本专利公开2-46085中公开的一般的消除线圈的环形线圈正是因为这个原因而向后敞开，以调节前后部位的校正比。

图9和10分别示出了电子束偏转区中水平偏转线圈2所产生的偏转磁场和消除线圈4所产生的消除磁场向量图，其中只示出了偏转系统上半部的以阴极射线管轴线(Z)所在平面截取的横截面上的情况。

从图9显然可见，在偏转系统前面部位和后面部位内所产生的偏转磁场一般是朝上的。而由图10显然可见，在偏转系统前面部位和后面部位内，装在铁氧体磁心1前端部位上方和下方的一般环形线圈4产生向下的消除磁场，这和偏转磁场的方向相反。

图11示出了图9和10中所示的在偏转系统的中心轴线(Z轴线)测出的偏转场7和消除场6的分布情况，在Y轴线的正方向其纵坐标为正。图11中，偏转场7是用其峰值归一化了的，其分度值标在右侧的纵坐标上。消除场6以绝对值在左侧的纵坐标上表示。图11中，偏转系统的铁氧体磁心、水平偏转线圈和环形线圈的相对位置分别以线条1，2和4表示。从图11的曲线6可以看到，环形线圈4产生的磁场方向与水平平偏转线圈2在水平偏转线圈所界定的部位内所产生的磁场的方向相同。但消除场6在水平偏转线圈2的前面部位和后面部位内的方向与线圈2的磁场方向相反。从图11可以看出，由于前面部位的消除场场强大于后面部位的消除场场强，因而偏转场7经消除场6校正之后向后偏移。偏转中心的这种后向偏移造成电子束在阴极射线管荧光屏上误着屏。