[发明专利]反射型液晶显示器

说明书

本发明涉及液晶显示器，尤其涉及一种有源矩阵反射型液晶显示器。

一种有源矩阵反射型液晶显示器具备由薄膜晶体管（TFT）控制的反射极，一个反向公用电极，和置于这些电极之间的液晶，的由施加在电极上的电压改变液晶层的学透射状态以控制为了显示的目的由反射极反射的光的强度。

反射型液晶显示器使用在“Society    for    Information    Display    83    Digest    1983”中第146-147页所公开的规则有源矩透射型液晶显示器中采用的TFT。

在这种可使用TFT的常规反射型液晶显示器中，有必要调准TFT的栅极和本征半导体膜，以及调准本征半导体膜和漏极及源极。调准会有误差，因而，考虑到误差的因素，每个相关的对应元件的设计尺寸都要有预定的尺寸余量。因此存在的问题是TFT的尺寸大。所需的处理步骤多，以及为了调准相关的每个对应层需相当长的时间。

本发明的一个目的是提供一个有源矩阵反射型液晶显示器，该显示器能解决在常规有源矩阵反射型晶体显示器中由于采用TFT所面临的这些问题，并且这种显示器在制造TFT过程中较容易地调准，使用的TFT小，并且制造显示器的步骤较少。

根据本发明，利用一种具有一个反方向交错结构的薄膜晶体管就可以实现上述目的，在该反向交错结构中晶体管有一个漏电极，该漏电极包含有一个扫描导体和信号导体在上面相交的区域;一个源电极，该源电极上包含这样一个区域，在该区域上平行于信号导体且长度比扫描导体宽度大的短路导体与扫描导体相交;一个栅极，该栅极包含一个在扫描导体上、在漏极和源极之间形成的区域、和一个包含栅极使栅极与沟道区域重合而形成本征半导体区域。

如果可以用相同的光掩模形成信号导体和短路导体，则形成在扫描导体和信号导体相交区域的漏极、形成在短路导体和扫描导体相交区域的源极、以及形成在漏极和源极间的栅极三者之间的位置关系就由光掩模设计的精度来决定，即使在扫描导体和每个扫描导体和短路导体之间的位置关系在调准这些导体时多少有些垂直或水平的偏差，亦是如此。包含有栅极的本征半导体薄膜区域形成的作用在于使沟道区域与栅极彼此完全重合。最终将源、漏极和影响TFT特性的沟道区域之间的位置关系维持在由光掩模设计所决定精度范围内，即使在生产时进行的调准存在偏差也能维持这个精度。

图1A-1D示，出本发明的有源矩阵反射型液晶显示器的第一实施例中的TFT衬底在其各个制造步骤的布局图案的平面图。

图2A、2B和2C分别示出沿图1D中ⅡA1-ⅡA1，ⅡB1-ⅡB1和ⅡC1-ⅡC1线剖开的和沿着图1D表面的垂直方向剖开的剖面图。

图3示出制造第一实施例步骤之一的剖面图。

图4示出制造第一实施例之一的剖面图。

图5示出制造第一实施例步骤之一的剖面图。

图6示出制造第一实施例步骤之一的剖面图。

图7示出制造第一实施例之一的剖面图。

图8示出制造第一实施例步骤之一的剖面图。

图9示出制造第一实施例步骤之一的剖面图。

图10示出本发明中相类似的TFT衬底的平面图。

图11A、11B、和11C分别示出沿图1D中ⅪA1-ⅪA1、ⅪB1-ⅪB1和ⅪC1-ⅪC1剖开的本发明第三实施例的TFT衬底的剖面图，和沿图1D表面的垂直方向剖开的剖面。

图12A、12B和12C分别示出沿图1D中ⅫA1-ⅫA1、ⅫB1-ⅫB1和ⅫC1-ⅫC1线剖开的本发明第三实施例的TFT衬底的剖面图，和沿图1D表面的垂直方向剖开的剖面。

图13A、13B和13C示出本发明的第四实施例的TFT衬底在相应的制造步骤的布局图案的平面图。

图14A、14B和14C示出本发明的第五实施例的TFT衬底在相应的制造步骤的布局图案的平面图。

图15A、15B和15C示出本发明的第六实施例的TFT衬底在相应的制造步骤的布局图案的平面图。

图16A、16B和16C分别示出沿图15B中ⅩⅥA2-ⅩⅥA2、ⅩⅥB2-ⅩⅥB2和ⅩⅥC2-ⅩⅥC2线剖开的本发明第六实施例的TFT衬底的剖面图，和沿着图15B表面的垂直方向剖开的剖面图。

图17A、17B和17C分别示出沿图15B中ⅩⅦA2-ⅩⅦA2和ⅩⅦB2-ⅩⅦB2和ⅩⅦC2-ⅩⅦC2线剖开的本发明第七实施例的TFT衬底的剖面图，和沿着图15B表面的垂直方向剖开的剖面图。

图18A、18B和18C示出本发明的第八实施例的TFT衬底在相应的制造步骤的布局图案。