[发明专利]一种制备用于多层电路板的内复合层的方法

权利要求书

1、一种制备用于多层电路板的内复合层的方法，其特征在于所述的内复合层由其上带有形成的铜层的电绝缘衬底和覆盖于所述铜层上的偶合剂膜组成，所述的方法包括以下步骤：

用碱处理在所述衬底上的所述铜层以向其提供羟基，并使所述铜层表面充满所述的羟基；

在所述的铜层表面涂覆偶合剂，所述的偶合剂选自硅烷偶合剂、钛酸盐(酯)偶合剂和锆酸盐偶合剂；

干燥所述的偶合剂以在所述的铜层上形成所述的膜，由此制得所述的内复合层，其中偶合剂通过羟基与偶合剂反应与所述铜层表面发生化学结合。

2、如权利要求1所述的方法，其特征在于所述的碱选自氢氧化钠、氢氧化钾、甲醇钠、乙醇钠和乙醇锂。

3、如权利要求1所述的方法，其特征在于硅烷偶合剂选自γ-氨基丙基三乙氧基-硅烷、γ-氧代缩水甘油基丙基三甲氧基-硅烷、N-β-氨基乙基-γ-氨基丙基三甲氧基-硅烷和N-苯基-γ-氨基丙基三甲氧基-硅烷。

4、如权利要求1所述的方法，其特征在于钛酸盐偶合剂选自四-正-丁氧基钛、异丙基三异硬脂钛酸酯。

5、如权利要求1所述的方法，其特征在于锆酸盐偶合剂为丁醇锆。

6、一种制备用于多层电路板的内复合层的方法，其特征在于所述的内复合物由其上带有形成的铜层的电绝缘衬底及覆盖于所述铜层上的偶合剂膜组成，所述的方法包括以下步骤：

在促进剂存在的情况下，用碱处理位于所述衬底上的铜层以提供羟基，同时产生铜离子，所述的羟基通过铜离子与所述铜层表面牢固结合，由此使所述铜层表面充满羟基;

在所述的铜层表面涂覆偶合剂，所述的偶合剂选自硅烷偶合剂、钛酸盐偶合剂和锆酸盐偶合剂;

干燥所述的偶合剂以在所述的铜层上形成所述的膜，由此制得所述的内复合层，其中偶合剂通过羟基与偶合剂反应与所述铜层表面发生化学结合。

7、如权利要求1或6所述的方法，其特征在于所述的铜层形成导体图案。

8、如权利要求1或6所述的方法，其特征在于在低于50℃的温度下将羟基提供给所述衬底上的铜层。

9、如权利要求6所述的方法，其特征在于所述的促进剂选自亚氯酸盐、次氯酸盐、过二硫酸盐和臭氧。

10、如权利要求6所述的方法，其特征在于由所述铜层表面的铜被所述的促进剂氧化而得到的氧化铜的量少于0.5g/m²。

11、如权利要求6所述的方法，其特征在于用碱和所述促进剂处理过的所述铜层的表面在芒塞尔颜色体系中其色彩为2.5R-5Y范围、色品为2-14范围和亮度为3-8范围。

12、一种制备包括至少一层内复合层的多层电路板的方法，其特征在于该内复合层由其上带有形成的铜层的电绝缘衬底和偶合剂膜组成，所述的方法包括以下步骤：

在促进剂存在的情况下，用碱处理位于所述衬底上的铜层以提供羟基，同时产生铜离子，所述的羟基通过铜离子与所述铜层表面牢固结合，由此使所述铜层表面充满羟基;

在所述的铜层表面涂覆偶合剂，所述的偶合剂选自硅烷偶合剂、钛酸盐偶合剂和锆酸盐偶合剂;

干燥所述的偶合剂以在所述的铜层上形成所述的膜，由此制得所述的内复合层，其中偶合剂通过羟基与偶合剂反应与所述铜层表面发生化学结合。

在预定的温度、压力和时间下将至少一层所述的内复合层和至少一层外铜层及置入在它们中间的聚脂胶片叠压在一起，得到所述的多层电路板。

13、一种制备包括至少一层内复合层的多层电路板的方法，该内复合层由一电绝缘衬底和一铜层组成，所述的方法包括以下步骤：

在促进剂存在的情况下，用碱处理位于所述衬底上的铜层以提供羟基，同时产生铜离子，所述的羟基通过铜离子与所述铜层表面牢固结合，由此使所述铜层表面充满羟基;

在偶合剂存在于铜层和聚脂胶片之间的界面处的条件下，将放在所述内复合层的所述铜层上的聚脂胶片和外铜层叠在一起，所述的偶合剂选自硅烷偶合剂、钛酸盐偶合剂和锆酸盐偶合剂;

对得到的叠片加压和加热从而得到所述的多层电路板，其中偶合剂通过羟基与偶合剂反应而与所述铜层表面发生化学结合。

14、一种用于多层电路板的内复合层，其特征在于所述的内复合层含有至少在其一侧带有一层铜层的电绝缘衬底，所述的铜层用硅烷偶合剂涂敷，二者之间的界面结构如下所示

其中R为有机功能基团。