[发明专利]薄膜晶体管和有源矩阵液晶显示器件

权利要求书

1.一种薄膜晶体管(TFT)，包括一形成在透明绝缘衬底上的光屏蔽栅电极、形成在该栅电极上的栅绝缘层、形成在该栅绝缘层上的半导体和与所述半导体层相连以限定出一沟道区域的光屏蔽源电极和光屏蔽漏电极，其特征在于：在所述源电极和漏电极中至少一个电极与所述半导体层之间形成一绝缘层，该绝缘层超出覆盖着所述半导体层的所述源电极和漏电极中至少一个电极的所有边缘一段距离，该距离大于空穴—电子复合距离。

2.根据权利要求1的薄膜晶体管，其特征在于：所述绝缘层延伸到所述半导体层的沟道区域。

3.一种有源矩阵液晶显示器件，包括：

一第一透明绝缘衬底，具有多根沿第一方向设置的栅极线、沿与所述第一方向交叉的方向设置的多根信号线，和连接到所述栅极线和信号线的各交叉点的薄膜晶体管和显示电极；

一第二透明绝缘衬底，具有一公共电极；

保留在所述第一和第二透明绝缘衬底之间的液晶材料；

与所述栅极线相连、用于向所述栅极线加栅极信号的装置；

与所述信号线相连，用于向所述信号线加数据信号的装置；

其特征在于：所述薄膜晶体管包括一形成在所述第一透明绝缘衬底上的光屏蔽栅电极、形成在栅电极上的栅绝缘层、形成在栅绝缘层上的半导体层，和与所述半导体层相连以限定出沟道区域的光屏蔽源电极和光屏蔽漏电极；一绝缘层形成在所述源电极和漏电极中至少一个电极与所述半导体之间，该绝缘层超出覆盖住所述半导体层的所述源电极和漏电极中至少一个电极的所有边缘一段距离，该距离大于空穴—电子复合距离。

4.根据权利要求3的有源矩阵液晶显示器件，其特征在于：所述绝缘层延伸到所述半导体层沟道区域上。