[发明专利]电子照相感光体及用该感光体的设备和设备单元

权利要求书

1.电子照相感光体，它包括导电支持体和在该支持体上形成的感光层，电子照相感光体表面层含式(1)第一结构单元和式(2)第二结构单元形成的第一共聚物以及式(3)第三结构单元和式(4)第四结构单元形成的第二共聚物其中A是亚烷基，亚芳基，亚芳二亚烷基，-O-，-S-，-CO-，-SO-或-SO₂-，R_1-1至R_1-8分别为氢，烷基，芳基或卤原子：式中R_2-1为烷撑或亚烷基和R_2-2到R_2-5分别为氢，烷基或芳基和n是10到150的整数；其中R_3-1至R_3-8分别为氢，烷基，芳基或卤原子，式中B是亚烷基，亚芳基和亚芳基二亚烷基，R_4-1到R_4-8分别为氢，烷基，芳基，或卤原子。

2.权利要求1的电子照相感光体，其中表面层还含包括式(9)结构单元的聚碳酸酯，其中D是亚烷基，亚芳基或亚芳基二亚烷基；和R_4-1到R_4-8分别为氢，烷基，芳基或卤原子。

3.权利要求1的电子照相感光体，其中表面层是感光层。

4.权利要求3的电子照相感光体，其中感光层包括产生电荷层和输送电荷层，且输送电荷层是表面层。

5.权利要求1的电子照相感光体，其中电子照相感光体感光层上有保护层，且保护层是表面层。

6.权利要求1的电子照相感光体，其中电子照相感光体在导电支持体和感光层之间有底胶层。

7.权利要求2的电子照相感光体，其中表面层是感光层。

8.权利要求7的电子照相感光体，其中感光层包括产生电荷层和输送电荷层，且输送电荷层是表面层。

9.权利要求2的电子照相感光体，其中该电子照相感光体感光层上有保护层，且该保护层是表面层。

10.权利要求2的电子照相感光体，其中电子照相感光体在导电支持体和感光层之间有底胶层。

11.电子照相设备，其中包括电子照相感光体，形成静电潜像的成像装置，将形成的潜像显影的显影装置，将显影后的影像转移到影像接收材料上的转移装置；

所述的电子照相感光体包括导电支持体和在该支持体上形成的感光层，电子照相感光体表面层含式(1)第一结构单元和式(2)第二结构单元形成的第一共聚物以及式(3)第三结构单元和式(4)第四结构单元形成的第二共聚物其中A是亚烷基，亚芳基，亚芳二亚烷基，-O-，-S-，-CO-，-SO-或-SO₂-，R_1-1至R_1-8分别为氢，烷基，芳基或卤原子：式中R_2-1为烷撑或亚烷基和R_2-2到R_2-5分别为氢，烷基或芳基和n是10到150的整数；其中R_3-1至R_3-8分别为氢，烷基，芳基或卤原子，式中B是亚烷基，亚芳基和亚芳基二亚烷基，R_4-1到R_4-8分别为氢，烷基，芳基，或卤原子。

12.设备单元，其中包括电子照相感光体和至少一件选自充电装置，显影装置和清洗装置的装置；

所述的电子照相感光体包括导电支持体和在该支持体上形成的感光层，电子照相感光体表面层含式(1)第一结构单元和式(2)第二结构单元形成的第一共聚物以及式(3)第三结构单元和式(4)第四结构单元形成的第二共聚物其中A是亚烷基，亚芳基，亚芳二亚烷基，-O-，-S-，-CO-，-SO-或-SO₂-，R_1-1至R_1-8分别为氢，烷基，芳基或卤原子：式中R_2-1为烷撑或亚烷基和R_2-2到R_2-5分别为氢，烷基或芳基和n是10到150的整数；其中R_3-1至R_3-8分别为氢，烷基，芳基或卤原子，式中B是亚烷基，亚芳基和亚芳基二亚烷基，R_4-1到R_4-8分别为氢，烷基，芳基，或卤原子，

所述单元一体化支持电子照相感光体以及充电装置，显影装置和清洗装置中的至少一件且该单元可从电子照相设备的主体上拆除。