[发明专利]具有薄膜晶体管的电子器件

权利要求书

1.一种电子器件，其特征在于，

所述电子器件包括以矩阵形式排列的多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管包括：

在一个绝缘表面上形成的半导体膜，所述半导体膜包括源和漏区，以及它们之间的一个沟道区；

一个与所述半导体膜相邻的栅绝缘膜；和

与所述栅绝缘膜相邻的栅电极，

其中当漏电压为1V时，薄膜晶体管的截止电流小于10^-12A。

2.根据权利要求1的电子器件，其特征在于，其中每个薄膜晶体管是多栅晶体管。

3.根据权利要求1的电子器件，其特征在于，其中每个薄膜晶体管的沟道区的侧边缘延伸到每个薄膜晶体管的栅电极的侧边缘之外。

4.根据权利要求1的电子设备，其特征在于，其中每个薄膜晶体管的沟道区包括一个非晶硅层和在非晶硅层上的一个晶体硅层。

5.根据权利要求1的电子器件，其特征在于，其中沟道区比源区和漏区薄。

6.根据权利要求1的电子器件，其特征在于，其中每个薄膜晶体管是一个顶栅晶体管。

7.根据权利要求1的电子器件，其特征在于，其中每个薄膜晶体管都是一个其中包括P-型掺杂的P沟道薄膜晶体管。

8.根据权利要求7的电子器件，其特征在于，其中P型掺杂是硼。