[发明专利]薄膜磁头无效

专利信息
申请号: 93108951.4 申请日: 1993-07-20
公开(公告)号: CN1083251A 公开(公告)日: 1994-03-02
发明(设计)人: 彼得·G·比肖夫;华一钦·佟;约翰尼·C·H·陈 申请(专利权)人: 里德-莱特公司
主分类号: G11B5/31 分类号: G11B5/31
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人: 范本国
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 薄膜 磁头
【权利要求书】:

1、一种薄膜磁头,包括:

一个磁轭,它包括由磁性材料形成的第一和第二磁极层,所述磁轭包括磁极尖和由所述磁极尖限定的换能间隙;

一个用于连接外部电路的线圈;

所述磁轭由包括所述线圈的主部分和包括所述磁极尖的漏斗形部分形成;

环绕所述线圈的绝缘材料,所述绝缘材料和所述线圈设置于所述磁极层之间;

第一和第二成形的磁性薄膜,它们设置于所述绝缘材料和一个所述磁极层之间。

2、如权利要求1所述的薄膜磁头,其中所述一个磁极层包括一个弯曲部分,该弯曲部分起始于所述磁轭的所述主部分最接近于所述换能间隙的端部,并向所述磁极尖延伸。

3、如权利要求2所述的薄膜磁头,其中所述第一和第二成形薄膜分别包括第一和第二台阶,所述台阶相互分开。

4、如权利要求3所述的薄膜磁头,其中所述第一台阶的位置接近于所述磁轭的所述主部分最接近所述换能间隙的端部的起始区域。

5、如权利要求3所述的薄膜磁头,其中所述第二台阶的位置接近于所述弯曲部分的中间区域。

6、如权利要求2所述的薄膜磁头,其中所述主部分的所述端部基本上与最接近所述换能间隙的所述线圈的端部对准。

7、如权利要求1所述的薄膜磁头,其中所述磁轭的所述一个磁极层的厚度约为3.5微米,所述每一个成形薄膜的厚度约为0.80微米。

8、如权利要求1所述的薄膜磁头,其中所述一个磁极层的所述磁性材料的所述畴壁被对准,且静磁应力减为最小。

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