[发明专利]激光加工方法

权利要求书

1.一种用以制造半导体器件的激光加工方法，包括以下步骤：

在光传输路径上形成3-300nm厚的透明薄膜，以覆盖一半导体薄膜；

通过所述透明薄膜，将截面为矩形、波长为400mm或更短和脉宽为50nsec或更窄的激光脉冲光束照射到所述半导体薄膜上，该半导体薄膜含有硅，并具有被导入的磷质；和

移动所述半导体薄膜，以便用所述激光脉冲扫描该半导体薄膜；

其特征在于，所述每个激光脉冲的能量密度E以mJ/cm²为单位，且脉冲数N满足关系式log₁₀N≤-0.02(E-350)，其中N至少等于1。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磷质的导入是通过注入法实现的。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磷质的导入是通离子掺入法实现的。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磷质的导入是通过离子照射法实现的。

5.一种用以制造半导体器件的激光加工方法，包括以下步骤：

在光传输路径上形成3-300nm厚的透明薄膜，以覆盖一半导体薄膜；

通过所述透明薄膜，将截面为矩形、波长为400nm或更短和脉宽为50nsec或更窄的激光脉冲光束照射到所述半导体薄膜上，该半导体薄膜含有硅，并具有被导入的硼；和

移动所述薄膜，以便用所述激光脉冲光束扫描所述半导体薄膜；

其特征在于，所述每个激光脉冲的能量密度E以mJ/cm²为单位，且脉冲数据N满足关系式log₁₀N≤-0.02(E-300)，其中N至少等于1。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述硼的导入是通过注入法实现的。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述硼的导入是通过离子掺入法实现的。

8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述硼的导入是通过离子照射法实现的。

9.一种用以制造半导体器件的激光加工方法，包括以下步骤：

在光传输路径上，形成一厚度为3-300nm的透明薄膜，以覆盖一半导体薄膜；

通过所述透明薄膜将磷质导入所述半导体薄膜；

将截面为矩形、波长为400nm或更短和脉宽为50nsec或更窄的激光脉冲光束照射到所述半导体薄膜上；和

移动所述半导体薄膜，以便用所述激光脉冲光束扫描所述半导体薄膜；

其特征在于，每个所述激光脉冲的能量密度E以mJ/cm²为单位，且所述激光脉冲数N满足关系式l0g₁₀N≤-0.02(E-350)，这里N至少等于1。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述磷质的导入是通过注入法实现的。

11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述磷质的导入是通过离子掺入法实现的。

12.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述磷质的导入是通过离子照射导入法实现的。

13.一种用以制造半导体器件的激光加工方法，包括以下步骤：

在光传输路径上形成一厚度为3-300nm的透明薄膜以覆盖一半导体薄膜；

通过所述透明薄膜将硼导入于所述半导体薄膜；

将截面为矩形、波长为400nm或更短和脉宽为50nsec或更窄的激光脉冲光束照射到所述半导体薄膜上；和

移动所述半导体膜，以便用所述激光脉冲光束扫描所述半导体薄膜；

其特征在于，每个所述激光脉冲的能量密度E以mJ/cm²为单位，且所述激光脉冲数N满足关系式log₁₀N≤-0.02(E-300)，这里，N至少等于1。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述硼的导入是通过注入法实现的。

15.如权利要求13所述的方法，所述硼的导入是通过离子掺入法实现的。

16.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述硼的导入是通过离子照射法实现的。