[发明专利]压淬法直接制备大块致密纳米晶合金无效
申请号: | 93111163.3 | 申请日: | 1993-05-25 |
公开(公告)号: | CN1095765A | 公开(公告)日: | 1994-11-30 |
发明(设计)人: | 李冬剑;胡壮麒;丁炳哲;姚斌 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | C21D10/00 | 分类号: | C21D10/00;C22F3/00 |
代理公司: | 中国科学院沈阳专利事务所 | 代理人: | 闵宪智 |
地址: | 110015 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压淬法 直接 制备 大块 致密 纳米 合金 | ||
本发明涉及纳米级合金的制备技术。
纳米晶材料是目前材料研究的主要研究方向,是国内外非常热门的前沿课题,现有的纳米晶制备方法主要是先制成纳米晶粉末,然后再压实成块,但是,由于表面的污染,块的不致密,严重影响了纳米晶合金的性能。
本发明的目的在于提供一种大块纳米晶合金的制备方法,使得制取的合金致密且无界面污染。
本发明所提供的大块纳米晶合金可以通过两个途径实现,其中一种方法的特征在于工艺过程依下述步骤进行:
-在高压下将均匀合金加热,压力在5GPa~10GPa,加热至熔化;
-在高压下冷却,冷速1ks-1~300ks-1,至室温;
-卸压。
本发明所提供的另一种方式其特征在于工艺过程依下述步骤进行:
-在高压下将均匀合金加热,压力在5GPa~10GPa,温度在熔点下100K的范围内;
-在高压下冷却,冷速1ks-1~1000ks-1。
-卸压。
用本发明所提供的方法可以得到晶粒度在10~40nm的块状纳米级合金,而且非常致密,内部无任何孔洞,其原因是由于压力促使熔体的密度比固体更大,从而抑制了体积膨胀的凝固相变过程,极明显地降低了纳米晶形成所需的临界冷速,为大块纳米晶的形成提供了可能。另一个原因是样品内部压力分布的特征决定的,一般来说,样品中心的冷却过程慢,晶粒相应也粗;而压淬时,由于样品中心的压力最高,使临界冷速降低得也越多,因而能促使样品中心晶粒的细化,从而能得到大块的均匀的纳米晶合金。下面结合实施例详述本发明。
实施例1:
Cu-Ti在高压下从熔态淬火形成块状纳米晶合金
①把碎铜块和Ti块(纯度为99.9%),在真空中用电弧进行熔炼,成分为Cu60Ti40(原子比)反复熔炼多次,以使其内部组织均匀。
②把Cu-Ti均匀合金置于Belt型容器内升压至5.5GPa,然后升温至1573K,比常压下的熔化温度高300K左右,并保温保压5min以上,以保证高压下能够熔化。
③在5.5GPa下,将Cu-Ti样品以1k/s~50k/s的冷却速度冷却至室温。
④卸压后取出样品。
经X-射线和电镜分析测试,经过此方法处理后的样品晶粒度在10~20nm间。
实施例2:
ZnAs合金在高压下从熔态淬火形成块状纳米晶
①Zn(99.9%)和As(99.9%)按ZnAs2的原子配比置于真空石英管中熔化,熔化温度为1173K,油淬后长时间扩散退火,以使其组织均匀。
②ZnAs合金置于Belt型高压容器内,加压至6.3Gpa,然后升温至1173K,保温保压1h左右,以使其熔化并均匀。
③ZnAs合金在6.3GPa下,从1173K以200K/s的速度冷却至室温。
④卸压,取出样品。
经对样品的X-射线和电镜分析,样品经上述处理后晶粒度在20nm左右。
实施例3:
Cu-Ti在高压下从高温高压固相淬火形成块状纳米晶合金
①Cu-Ti合金是把Cr(99.9%)和Ti(99.9%)的纯金属按Cr50Ti50(at%)的成分配比在真空电弧炉中反复熔炼多次,以求得到成份均匀的Cr50Ti50合金。②将Cr-Ti合金置于Belt型容器内升压至5.5GPa,然后升温至1573K,再保温保压5min以上。③在5.5GPa下,以1k/s~50k/s的冷却速度将样品从1573K冷却至室温。
④卸压取出样品。
经检测,经上述处理后,晶粒度在20~30nm之间。
实施例5:
ZnAs合金在高压下从高温高压固相冷却形成块状纳米晶
①ZnAs均匀样品的制备方式与实施例2相同。
②把ZnAs合金置于Belt型容器内,升压至5GPa,再升温至1073K,此时仍为高温高压固相,保温保压1h。
③在5GPa下,从1073K以300K/s的冷却速度冷却至室温。
④卸压,取出样品。
经检测,经上述处理的样品的晶粒度为20nm左右。
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