[发明专利]一种半导体扩散区结构及其制造方法

权利要求书

1、一种半导体扩散区结构，其特征在于扩散区的纵剖面是带有一个或多个尖峰状突起的连续的非均匀扩散区深度结构，且在二次窗口内表面浓度是非均匀的。

2、一种半导体扩散区结构的制造方法，按下述工艺流程：

（1）生长介质层;

（2）光刻一次窗口;

（3）掺杂预淀积;

（4）推进结深并生长介质层;

（5）光刻二次窗口;

其特征在于光刻一次窗口时，是将常规的大面积扩散窗口刻成设有宽度为d的介质图形的大面积窗口，在掺杂预淀积时，由于介质层的阻挡作用，掺杂杂质只淀积在无介质图形的窗口中，故推进结深时，只有淀积在窗口中的杂质向半导体体内扩散，形成一定结深Xj的扩散区;同时，在介质图形下，相邻两个窗口内的杂质还同时存在侧向扩散的性质，使得其扩散区的边缘在介质图形下相交连接，形成结深不均匀、表面浓度不均匀的尖峰状突起的连续的非均匀扩散区深度结构，其介质图形形状可以是矩形条、同心圆环、同心圆弧或它们之间的组合。

3、根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于所述的非均匀扩散区深度结构中，峰底处为结深Xj的最大值（Xjmax），峰尖处为结深Xj的最小值（Xjmin），该最小值的选择取决于介质图形的宽度d值的大小，d值越大，结深最小值越小，但d应满足1.1Xjmax≤d≤1.8Xjmax。

4、根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于形成尖峰的个数取决于光刻时宽度为d的介质图形的个数，该介质图形为一个或多个。