[发明专利]高致密、低气孔率氮化硅-碳化硅－氧化物系统耐火材料无效
| 申请号： | 93112548.0 | 申请日： | 1993-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN1045282C | 公开（公告）日： | 1999-09-29 |
| 发明（设计）人： | 潘裕柏;江东亮;谭寿洪;王菊红 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/565 |
| 代理公司： | 上海华东专利事务所 | 代理人： | 潘振 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 致密 气孔率 氮化 碳化硅 氧化物 系统 耐火材料 | ||
【权利要求书】：
1.一种高致密、低气孔率的氮化硅、碳化硅一氧化钇耐火材料，其特征在于具体组成为(wt％)：
Si3N4 10-30
SiC 50-80
Y2O3 2-10
Al2O3 1-15.
2.按权利要求1所述的耐火材料，其特征在于具体组成为(wt％)：
SiC 60，Si3N4 20，Y2O3 10，Al2O3 10。
3.按权利要求1所述的耐火材料，其特征在于具体组成为(wt％)：
SiC 55，Si3N4 18，Y2O3 7，Al2O3 20。
4.按权利要求1所述的耐火材料，其特征在于具体组成为(wt％)：
SiC 70，Si3N4 15，Y2O3 5，Al2O3 10。
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