[发明专利]光电供电设备无效
申请号: | 93114230.X | 申请日: | 1993-11-06 |
公开(公告)号: | CN1035912C | 公开(公告)日: | 1997-09-17 |
发明(设计)人: | 杨永清 | 申请(专利权)人: | 杨永清;杨洪雯;杨洪东 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00;H01L31/04;H01L27/142 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 134001 *** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 供电 设备 | ||
1、一种光电供电设备,由光电池依次连接振荡装置、低频放大装置、功率放大装置组成,其特征是,该光电池的芯片是由多层复合膜构成的,其各层膜的材料及其膜厚如下:
A层为含硼硅层,膜厚20;
B层为锗层,膜厚8μm;
C层为砷化镓层,膜厚3μm;
D层为铋层,膜厚250nm;
E层为含磷硅层,膜厚240;
F层为碲、铟、铜层,膜厚20μm;
G层为硒层,膜厚40μm。
2、根据权利要求1所述的光电供电设备,其特征是,所述的光电池芯片是由7层不同材料的膜复合组成的,以7层为一组,可以是一组或多组复合组成,组与组之间有隔离层,它是二氧化硅膜,膜厚20nm。
3、根据权利要求1或2所述的光电供电设备,其特征是,所述的光电池芯片中的各层复合膜均用激光刻划机刻成线槽,分割成条块,其中B、C、D层上刻有P沟道,E、F、G层上刻有N沟道,各层上线槽、P沟道、N沟道均不重叠。
4、根据权利要求1或2所述的光电供电设备,其特征是,所述的光电池芯片中,每组的A、B、C、D层与光电池的透明电板2连接,每组的E、F、G层与光电池电极4连接。
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