[发明专利]半导体器件的加速老化的检测系统和方法

权利要求书

1．一种检测半导体器件的方法，包括下列步骤：

在少于15秒的时间内，对被测半导体器件通以预定的、高于其平均工作电平的电流脉冲，以使有缺陷的被测器件老化，无缺陷的被测器件稳定，以及

在通过电流脉冲之后，测量半导体器件的预定电学或光学工作特性。

2．根据权利要求1的检测半导体器件的方法，其特征在于，进一步包括：在给半导体器件通以预定电平电流脉冲步骤之前，对半导体器件的预定电学工作特性进行初始测量的步骤。

3．根据权利要求1的检测半导体器件的方法，其特征在于，其中的测量预定的电学特性的步骤是在给器件通以电流脉冲当中实施的。

4．根据权利要求2的检测半导体器件方法，其特征在于，其中的初始测量预定的电学或光学工作特性的步骤，包括选自下列特性构成的组的测量：正向电压、反向电压、正向电流、反向电流、色调、色调老化、光输出功率、光输出功率老化、发光强度、发光强度老化、发光系数、颜色、颜色老化、峰值色波长、主色波长、响应速度、电容、热阻、耗散功率及它们结合。

5．根据权利要求1的检测半导体器件的方法，其特征在于，其中的预定的电流脉冲的电流密度范围从1666-5000A/cm²。

6．根据权利要求1的检测半导体器件的方法，其特征在于，其中的预定的电流脉冲的电流密度大约为3333A/cm²。

7．根据权利要求1的检测半导体器件的方法，其特征在于，其中的半导体器件是由Sic制成的。

8．根据权利要求1的检测半导体器件的方法，其特征在于，其中的半导体器件是由Sic制成的发蓝光的二极管。

9．根据权利要求1的检测半导体器件的方法，其特征在于，还包括为检测中的半导体器件绘制电学工作特性图的步骤。

10．一种检测发光二极管的方法，包括下列步骤：

在少于15秒的时间内，对被测发光二极管通以预定的、高于其平均工作电平的电流脉冲，以使有缺陷的被测发光二极管老化，无缺陷的被测发光二极管稳定，以及

在通过电流脉冲之后，测量发光二极管的预定电学或光学工作特性。

11．根据权利要求10的检测发光二极管的方法，其特征在于，其步骤还包括，在给发光二极管通以预定电平的脉冲电流之前，对发光二极管的预定的电学或光学工作特性的初始测量。

12．根据权利要求10的检测发光二极管的方法，其特征在于，其中的测量预定的电学或光学工作特性步骤是在加电流脉冲当中实施的。

13．根据权利要求11的检测发光二极管的方法，其特征在于，在初始测量步骤之前，把发光二极管片子固定在一个探头机构上，以便一个一个地测量片子上每个发光二极管的电学或光学工作特性。

14．根据权利要求10的检测发光二极管的方法，其特征在于，其步骤还包括：报废不满足加电流脉冲之际测量的预定的电学或光学工作特性的片子上的发光二极管。

15．根据权利要求12的检测发光二极管的方法，其特征在于，其步骤还包括：如果片子上的发光二极管不满足在加电流脉冲之际测量的预定的电学工作特性，给该管用墨打上标记。

16．根据权利要求11的检测发光二极管的方法，其特征在于，其中的预定电学或光学工作特性的初始测量步骤包括对一些选自由正向电压、反向电压、正向电流、反向电流、色调、色调老化、光输出功率、光输出功率老化、发光强度、发光强度老化、发光系数、颜色、颜色老化、峰值色波长、主色波长、响应速度、电路、热阻、耗散功率，以及它们的组合构成的组中的特性的测量。

17．根据权利要求10的检测发光二极管的方法，其特征在于，其中的发光二极管是由Sic制成的。

18．根据权利要求10的检测发光二极管的方法，其特征在于，其中的发光二极管是由Sic制成的发蓝光的二极管。

19．根据权利要求10的检测发光二极管的方法，其特征在于，其中的电流脉冲的预定电流密度的范围从1666-5000A/cm²。