[发明专利]薄膜晶体管液晶显示器用的信号线装置及其制造的方法无效

专利信息
申请号: 93114476.0 申请日: 1993-11-06
公开(公告)号: CN1040914C 公开(公告)日: 1998-11-25
发明(设计)人: 安炳 申请(专利权)人: 株式会社金星社
主分类号: G02F1/133 分类号: G02F1/133;H01L21/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 赵蓉民
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 液晶显示 器用 信号线 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种制造TFT-LCD用信号线的方法,它包括以下步骤:

按预定顺序在一玻璃衬底上形成第一金属和第二金属;

对所述第二金属进行腐蚀处理形成具有宽度W1的金属线;

在所得结构上沉积第三金属;以及

对所述第一金属和所述第二金属进行腐蚀处理以形成具有宽度W2的金属线,其中宽度W2大于宽度W1

2.根据权利要求1所述的方法,该方法还包括对所述第一金属和第三金属的表面进行阳极氧化处理以形成第一绝缘膜的步骤。

3.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一金属和第三金属从由钽、铌、钛、钒和III族金属组成的一组金属中选择。

4.根据权利要求1所述的一种方法,其中所述第二金属从铜、铜合金、铝和铝合金组成的一组金属中选择。

5.根据权利要求1所述的方法,其中所述信号线宽度W2至少比所述第二金属的宽度W1宽1μm。

6.根据权利要求1所述的方法,其中所述第二金属的腐蚀处理是在醋酸类溶液中完成的湿腐蚀过程。

7.一种TFT-LCD信号线装置,它包括:

一个绝缘衬底;

第一金属,它在所述绝缘衬底上形成,且对所述绝缘衬底具有良好的附着性;

第二金属,它在所述第一金属上形成,具有低于20μΩ·cm的电阻;

第三金属,它由与所述第一金属相同材料构成,所述第三金属与第一金属一起把所述第二金属包围起来;以及

第一绝缘膜,它通过对所述第一金属和第三金属进行阳极氧化而形成。

8.根据权利要求7所述的TFT-LCD信号线装置,其中所述第二金属的一部分被暴露出来以便将一焊盘信号线与一外围电路电连接。

9.根据权利要求7所述的TFT-LCD信号线装置,还包括:

第一绝缘膜,它通过对所述第一金属、所述第二金属和第三金属进行阳极氧化而形成。

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