[发明专利]脉冲电流处理制备铁基纳米晶材料的方法无效
| 申请号： | 93115804.4 | 申请日： | 1993-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN1032594C | 公开（公告）日： | 1996-08-21 |
| 发明（设计）人： | 赖祖涵;晁月盛;滕功清;董林 | 申请（专利权）人： | 东北大学 |
| 主分类号： | C21D1/40 | 分类号： | C21D1/40 |
| 代理公司： | 东北大学专利事务所 | 代理人： | 郭绍卿 |
| 地址： | 110006 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 脉冲 电流 处理 制备 纳米 材料 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种脉冲电流处理制备铁基纳米晶材料的方法，其特征在于：先将非晶态合金带或丝，置于夹具上，接在脉冲电流发生器输出端的两个电极上，再将热敏电阻贴在样件表面上，然后调整脉冲电流，频率10—30HZ，脉冲电流密度Jmax1.0×103～5.0×103A/mm2，脉冲宽度20～80μs、处理时间10～100分钟，用测温仪表测量在脉冲处理期间的恒定温度，即可制备出纳米晶材料。
2.根据权利要求1所述的制备纳米晶材料的方法，其特征在于：先将非晶态合金带或丝，置于夹具上，接在脉冲电流发生器输出端的两个电极上，再将热敏电阻贴在样件表面上，然后调整脉冲电流，频率15—25HZ，电流密度Jmax1.5×103—3×103A/mm2，脉冲宽度30—60μs，处理时间20—80分钟，并以测温仪表测量恒定温度。
3.根据权利要求1或2所述的制备纳米晶材料的方法，其特征在于：所说的热敏电阻是用铂薄膜。
4.根据权利要求3所述的制备纳米晶材料的方法，其特征在于：样件测得恒定温度为200—250℃。
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