[发明专利]等离子体显示装置及其制造方法

说明书

本发明涉及一种等离子体显示装置及其制造方法，该装置包含：以矩阵排列的多个条形电极;在所述条形电极之间的每个固体交汇上的点状放电区或像素区;和形成在每个所述放电区上的荧光膜。当所述荧光膜受到对应的放电区的紫外线激励时发射光。

等离子体显示装置一般包含一对前后相互对置的基体以便其间形成放电区。所述放电空间包含一种He（氦）与少量的Xe（氙）和其它成份组成的混合气体和一组设置在所述绝缘基体对置面上的条形电极。所述条形电极在所述放电空间中形成一矩阵图形。所述矩阵将所述放电空间分隔成多个包含子空间的放电气体区，在所述条形电极的每个交汇处对应一个像素，且一荧光膜设在每个所述子空间中。

尤其是，如图10所示，前绝缘基体1由玻璃片形成，其内表面包括一形成其上的膜片型光阻掩模2，且第一条形电极3在一个方向中并排设置在基体1的内表面上。这些电极3起阳极作用。另一基体或后基体4同样由玻璃片形成且其内表面包括第二条形电极7，该电极在垂直于第一电极3的长度方向中延伸设置，这些电极7起阴极作用。这些第一和第二电极3、7由介质隔板8相互分隔。一点状放电区9形成在第一和第二电极3、7的每个交汇处上。该放电区9包含有Xe的放电气体。彩色显示的点状荧光膜10形成在每个第一电极3的表面上。通过印刷有绝缘膏的重叠的厚膜形成具有厚度在100微米至200微米之间的每个隔板8。放电气体是一种含有He和Xe的两组份混合气体，或是一种含有He、Xe和其它适当成份的三组份混合气体，或是一种单一气体（如Xe）。该放电气体在压强10至500乇（这取决于其组份）下被密封于相应的放电区9中。

这种已有技术的等离子体显示装置的构成是通过重复的厚膜工艺在一绝缘基体上形成具有厚度在100至200微米之间的隔板以限定其上的多个点状放电区，或是通过执行厚膜印刷工艺来形成上述隔板、并把包含有银的膏体填入由所述隔板限定或包围的槽缝中，然后焙烧（fire）该膏体以形成电极。之后，将荧光材料放入由所述隔板形成的凹口中并加以焙烧（fire）以形成复盖一个印刷电极的荧光元件（即，配置在基体背面的那一个）。当这些前、后基体相互重叠时，在其间进行封焊、放电和密封其它气体等以构成一等离子体显示装置。

已有技术的工艺，生产步骤太多，它减低了批量生产率且增加制造成本。由于电极、隔板和其它元件是通过重复厚壁印刷和焙烧步骤形成的，所以可能的点距受到限制。膜厚度必须高精度地控制。而且，基体必须重叠，因此，相互安装精度要求很高。

本发明的目的在于提供一种易于制造、成本低和工作能更稳定的等离子体显示装置。

本发明的另一目的在于提供一种制造等离子体显示装置的方法，这种方法能更容易、有效地生产具有配置减小点距的大量电极的等离子体显示装置。

因此，本发明所涉及的等离子体显示装置包含：第一介质基体;在该第一介质上的一方向中延伸的多个第一电极;第二介质基体;在该第二介质上的垂直于所述一方向的另一方向中延伸的多个第二电极;一用于限定多个象素区并用于安装隔板和设置于所述像素区中的荧光材料的突梁，改进在于，其中突梁是用扩散图形工艺（diffusion    patterned    process）制造的，用这一工艺，一介质图形层和一下面的无图形介质层至少加到所述基体之一上，且形成有所述突梁图像的图形层被扩散到所述无图形层上。

而且，本发明所涉及的制造等离子体显示装置的方法，它包含步骤：提供介质基体;在所述基体之上形成沿一方向延伸的多个第一电极;在所述另一基体上形成沿垂直于所述一方向的另一方向中延伸的多个第二电极;在至少所述基体之一上形成突梁以限定多个像素区;和在所述像素区中设置荧光材料。改进在于，其中突梁是用扩散图形工艺制造的，用这一工艺，一图形介质层和一下面的无图形介质层被加到至少所述基体之一上且形成有所述突梁的图形层被扩散到所述无图形层上。

在本发明的这种结构中，能将扩散图形用于小厚度的层上，如在制造电子元件中那样。通常，介质图形层将在10至30微米范围内，而无图形介质层能具有10至100微米的更大厚度。图形层的厚度主要受限于应用方式而不是考虑其可操作性。

图形层中的溶剂量必须足以提供扩散用的溶液量给下面的层。于是，图形层将包含至少10%重量的溶剂且可包含多至90%的重量，这取决于各聚合物的可溶解性关系。

进而在某些情况中，可以添加增塑剂或其它溶剂给下面的无图形层，以便使聚合物更易受来自图形层扩散的溶剂的影响。