[发明专利]微小型结构及其制造方法

权利要求书

1.一种制造集成化独立式微小型结构的方法，其特征在于有以下步骤：

选定一种衬底材料；

在衬底材料表面上淀积一层保护材料；

将保护层刻成图案以规定一种形状；

在保护层上淀积一层光敏抗蚀材料；

用反差增强光刻法，将光敏抗蚀层刻成图案，以形成一个光敏抗蚀型模；

在光敏抗蚀型模上，电镀上一层金属层材料，所述光敏抗蚀层被制成图案，以提供具有至少9∶1的纵横比的独立金属结构；以及

应用蚀刻剂来溶去光敏抗蚀型模和保护层，以形成一个独立式的金属结构。

2.根据权利要求l中所述的方法，其特征在于，所述的保护层、金属层和蚀刻剂都选择得能提供出高的蚀刻选择性，以使得对保护层的蚀刻要比对金属层的蚀刻有显著地更高的速率。

3.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于，所述的保护层是由一种玻璃材料构成的，金属层是由一种过渡元素构成的，蚀刻剂是由一种HF-基材料制成的。

4.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于，所述的保护层是磷硅玻璃(PSG)，金属层是铜或铬，蚀刻剂是氢氟酸(HF)。

5.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于，在所述的淀积一个光敏抗蚀层的步骤中，还包括在该光敏抗蚀层上淀积一个反差增强层的步骤。

6.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于，在所述的淀积一个光敏抗蚀层的步骤中，还包括在光敏抗蚀层上淀积一个阻挡层和在阻挡层上淀积一个反差增强层的步骤。

7.根据权利要求4中所述的方法，其特征在于，所述的反差增强层由具有一种可变色染料的混合物组成的。

8.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于，所述的将光敏抗蚀层刻成图案的步骤中包括掩模光敏抗蚀层和对未掩模的光敏抗蚀层部分进行曝光，曝光中应用一个低数值孔径的投影系统，它提供出波长约0.365微米的准直光源照射光线。

9.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于，所述的光敏抗蚀层的厚度不小于约2微米。

10.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于，所述的光敏抗蚀层被刻成图案，以提供具有最大约20微米垂直厚度的一个独立式结构。