[发明专利]光生伏打电池

权利要求书

1.光生伏打电池(1)，其中包括：具有支持面(4)的基片(2)，在支持面上配置第一电极(6)和通过多层(14、16；14、24、16)与第一电极(6)隔离的第二电极(10)，多层中包括至少一个第一半导电材料层(14)并且在其界面处有一个激活结(J)，所述激活结具有大于其投影面积的扩大的面积，其特征在于：所述第一电极(6)包括由导电材料形成的均匀层(18)和由导电胶体微粒(20)形成的多孔层，该层具有大于其投影面积的扩大的面积，在所述第一电极上依次相应地配置其它多层和所述第二电极，并且其特征还在于：所述第一半导电材料层的厚度小于或等于所述多孔层的孔(22)的一半宽度。

2.根据权利要求1所述的电池，其特征在于：所述激活结(J)具有大于20的粗糙系数。

3.根据权利要求1所述的电池，其特征在于：所述导电胶体微粒(20)具有1至200毫微米的直径。

4.根据权利要求1所述的电池，其特征在于：所述由导电胶体微粒(20)形成的层具有0.1至20微米的厚度。

5根据权利要求1所述的电池，其特征在于：除了所述第一半导电材料层(14)之外，所述多层(14、16；14、24、16)还包括在所述第一半导电材料层(14)和所述第二电极(10)之间扩展的导电层(16)。

6.根据权利要求5所述的电池，其特征在于：所述多层(14、24、16)还包括在所述第一半导电材料层(14)和所述导电层(16)之间扩展的绝缘材料层(24)。

7.根据权利要求5所述的电池，其特征在于：所述第二电极(10)由所述导电层形成。

8.根据权利要求1所述的电池，其特征在于：除了所述第一半导电材料层(14)之外所述多层(14、16；14、24、16)还包括与第一半导电材料层导电性类型不同的第二半导电材料层(16)，并且第二半导电材料层在所述第一层和第二电极(10)之间扩展。

9.根据权利要求8所述的电池，其特征在于：所述多层(14、24、16)还包括在所述第一半导电材料层(14)和所述第二半导电材料层(16)之间扩展的绝缘材料层(24)。

10.根据权利要求1所述的电池，其特征在于：第一电极(6)由选自搀杂氟、锑或砷的氧化锡、锡酸铝和掺杂铝的氧化锌的材料制成。

11.根据权利要求1所述的电池，其特征在于：所述第一半导电材料层(14)由无机半导电材料制成。

12.根据权利要求8所述的电池，其特征在于：所述第一半导电材料层(14)和/或所述第二半导电材料层(16)由无机半导电材料制成。

13.根据权利要求1所述的电池，其特征在于：所述第一半导电材料层(14)由有机半导电材料制成。

14.根据权利要求8所述的电池，其特征在于：所述第一半导电材料层(14)和/或所述第二半导电材料层(16)由有机半导电材料制成。

15.根据权利要求12所述的电池，其特征在于：所述第一半导电材料层(14)和/或所述第二半导电材料层(16)由选自第一、第二、第三和第四组半导电材料中的半导电材料制成，其中第一组包括过渡元素的半导电氧化物、现代周期分类表13和14列元素的半导电氧化物和镧系元素的半导电氧化物，第二组包括由第一组的两种或多种氧化物的混合物形成的混合半导电氧化物，第三组包括由第一组的一种或多种氧化物与现代周期分类表1和2列元素的氧化物的混合物形成的混合半导电氧化物，以及第四组包括硅、氢化硅、碳化硅、锗、硫化镉、碲化镉、硫化锌、硫化铅、硫化铁、硒化锌、砷化镓、磷化铟、磷化镓、磷化镉、氟化钛、氮化钛、氟化锆、氮化锆、掺杂的金刚石、硫氰酸铜以及纯的和混合的黄铜矿。

16.根据权利要求15所述的电池，其特征在于：所述半导电材料选自氧化钛、氧化镧、氧化锆、氧化铌、氧化钨、氧化锶、氧化钙/钛、钛酸钠和铌酸钾。