[发明专利]可存贮更新版本和数据的反病毒卡无效

专利信息
申请号: 93116748.5 申请日: 1993-08-28
公开(公告)号: CN1099886A 公开(公告)日: 1995-03-08
发明(设计)人: 张国梁;卢金树;潘韵清;陈雄文;翟才忠;张国华 申请(专利权)人: 广州市新技术研究设计院
主分类号: G06F11/00 分类号: G06F11/00
代理公司: 广东专利事务所 代理人: 石泽智
地址: 510630 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 存贮 更新 版本 数据 病毒
【说明书】:

发明涉及一种反病毒卡,特别是一种可存贮更新版本和数据的反病毒卡。

在目前国际上已发现超过二千多种计算机病毒,国内自1989年首次发现病毒以来,现在绝大多数IBN/PC系列及其兼容机已收到各种类型病毒的侵扰,对各类型病毒检测、消毒,从根本上彻底消灭及防御病毒,已成为全世界计算机领域中等待解决的问题。

目前,对病毒的防御和消除主要有以下几种方法:

1.人工检测:

利用系统提供的软件工具如DEBUG、PCTOOLS、WU等进行鉴别,这对通常的系统引导型病毒非常有效。也有的用软件工具检查磁盘上的坏区、内存空间是否无故减小等或用比较法检查机器内的文件是否发生变化。但人工检测需要对DOS系统和被检测出的病毒有比较好的了解,其广泛性和普及性受到限制,所以此方法不可取。

2.一对一扫描一清除法:

以软件方法的形式,先检测出特定种类病毒的特征代码,然后再对该种病毒予以清除。这种方法比人工检测法要方便有效,在病毒种类尚少的情况下,确实起到了一定的效果,但该方法只能对待已知出现的病毒,对未来出现的新病毒型则束手无策,由于跟不上新病毒的出现速度,因而也不能作为一种彻底根除病毒的安全手段。

3.软件防御法

以软件手段,深究病毒发作的基理,以病毒“免疫”的思想从本质上截取病毒传染,发作的特征,测报病毒。该法能抵御未来出现的病毒,但由于是软件形式实现,对在启动时侵入的系统型病毒难以防治,旦本身容易受到病毒的侵入和破坏,并会占用户内存,因而此法亦有缺陷。

4.病毒防护卡法。

这种方法同样采用病毒“免疫”的思想,但以硬件结构多形式组成,针对当前计算机系统的安全缺陷,采用周密严谨的防御逻辑,实时监测运行过程,从本质上截取病毒会传染,发作的共性特征,第一时间测报并清除内存病毒,从根本上杜绝病毒传染和破坏的可能,同时硬件形式结构以最高优先权运行于任何软件之前,对各类型病毒显有绝对的控制权,并因程序装在硬卡的EPRON里,能绝对避免自身受病毒侵害的威胁。

综观以上四种方法,目前广泛被采用并实践证明第四种病毒卡法是有效旦安全对抗病毒的理想方案。

但是病毒防护卡存在以下缺点:用户设置的口令,系统设置的参数只能用硬形状在卡上设置,修改必须打开机器,很不方便;或是写入硬盘DOS不能寻址的区域,但这样很不可靠,很不方便;而且对无硬盘的机器不适用。另外,如果要保存大量的数据如硬盘分区表等,则无法办到。还有关键一点,为对付目前层出不穷的新病毒,只能不断更新版本,而每次更新都必须打开机器,拆开病毒防护卡,更换芯片才能达到,非常麻烦,而且可靠性差。

本发明的目的在于避免上述现有技术的不足之处而提供一种在卡上设有一个存贮载体,用于存放系统设置参数,口令和更新版本的程序等数据的可存贮更新版本和数据的反病毒卡。

本发明的目的可以通过以下措施来达到:本实用新型其特征在于:在反病毒卡上设有一个数据存贮区。

本发明的目的还可以通过以下措施来达到:数据存贮区可通过电池来保存,可以是静态存贮器RAN或动态存贮器RAN。数据存贮区可以是掉电数据不丢失的存贮器3,存贮器3可采用EEPRON或FRON。本机电源VCC通过二极管D1接静态存贮器RAN,电池BA1通过二极管D2接静态存贮器RAN。本机电源Vcc可通过二极管D3接动态存贮器RAN,电池BA2通过二极管D4接动态存贮器RAN,动态存贮器RAN与动态探求新电路4相连。通过地址译码电路1和/RD信号可以实现对存贮器3的读出,并通过延时电路2对存贮器3写入。

本发明可在病毒卡上增加一个可以用电池来保存的数据存贮区,电池可采用可充电式或不可充电式;而数据存贮区可以是静态存贮器RAN或动态存贮器RAN。

本发明也可在病毒卡上增加一个可以自身保持数据的存贮区,该区可以是掉电数据不丢失的EEPRON或FRON或其他存贮芯片,只要符合电可写入、电可擦除、掉电数据不会丢失即可。

本发明相比现有技术是有如下优点:系统设置参数、口令数据可以写在卡上,旦停电不会掉失,更新版本可以直接用磁盘更新,不用更换芯片。并旦该卡既适应有磁盘的机器,也适应无磁盘的机器,旦能永久使用,对抗更新的病毒。

图1为本发明采用静态存贮器(RAN)作为数据存贮区时的电原理图;

图2为本发明采用动态存贮器(RAN)作为数据存贮区时的电原理图;

图3为本发明采用EEPRON或FRON作为数据存贮区时的电原理图。

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