[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1、一种半导体器件的制造方法，包括下列各步骤：

通过依次在半导体衬底上形成栅绝缘层、第1含硅导电层，和硅化物层而形成多硅化物结构；以及

通过在氧和氯化氢气体的气氛中干法氧化，在所得结构的整个表面上形成氧化硅层。

2、如权利要求1所限定的半导体器件的制造方法，其中，所述第1导电层包括多晶硅。

3、一种氧化多硅化物结构的硅化物层的方法，包括下列各步骤：

将通过依次形成栅绝缘层、第1含硅导电层和硅化层而形成了多硅化物的晶片装入处于第1温度状态的反应管中;

在反应管温度线性上升至第2温度状态之后，在氮气气氛中进行第1次退火。

在氧和氯化氢气体气氛中干法氧化该硅化物层;

在关断氧和氯化氢气体后，在氮气气氛中进行第二次退火;

在反应管温度线性下降至第3温度状态之后，将所得的结构从反应管取出。

4、如权利要求3所限定的氧化多硅化物结构的硅化物的方法，其中，所述的第1温度状态的范围是650±10℃。

5、如权利要求3所限定的氧化多硅化物结构的硅化物的方法，其中，所述第2温度状态的范围是900±20℃。