[发明专利]半导体激光器件无效

专利信息
申请号: 93119979.4 申请日: 1993-12-24
公开(公告)号: CN1065672C 公开(公告)日: 2001-05-09
发明(设计)人: 增井克荣;宫内伸幸;谷善平;竹川浩;辻亮;小川胜;盐本武弘 申请(专利权)人: 夏普公司
主分类号: H01S5/02 分类号: H01S5/02;H01S5/30
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 马铁良,肖掬昌
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体激光器
【权利要求书】:

1.一种半导体激光器件,包括基座、半导体激光芯片和密封激光芯片的树脂层,且覆盖着激光芯片的向外发射激光束的端面(后面将其称为前发射端面),其特征在于所述树脂层由单合成树脂制成,其厚度在10μm至500μm的范围内,其表面实际上平行于激光芯片的前发射端面。

2.按照权利要求1所述的半导体激光器件,其特征在于,所述的基座是一个管座,并进一步包括安装在管座的激光芯片以内位置上的监视器光电二极管。

3.按照权利要求1所述的半导体激光器件,其特征在于,所述的基座是引线框架,而所述的激光芯片通过辅助安装座在引线框架的一根引线上;还进一步包括一个监视器光电二极管,它安装在所说的一根引线上,并位于激光芯片往内的位置上,其中监视器光电二极管的光接收面基本上垂直于激光芯片的向内发射激光束的端面(后面将其称为后发射端面)。

4.按照权利要求1所述的半导体激光器件,其特征在于,所述基座是引线框架,而该引线框架的一根引线的位于激光芯片内侧的部分是倾斜的,以便朝向激光芯片的后发射端面;进一步又包括安装在所述引线框架的一根引线的所述倾斜部分的监视器光电二极管。

5.按照权利要求1所述的半导体激光器件,其特征在于,所述的基座是引线框架,该引线框架的一根引线的位于激光芯片内侧的部分是内凹的;还进一步包括安装在所述引线框架的一根引线的所述凹部的监视器光电二极管,其中监视器光电二极管的光接收面基本上垂直于激光芯片后发射端面。

6.一种半导体激光器件,包括基座、半导体激光芯片的密封激光芯片的树脂层,安装激光芯片的安装面高于用来接收从激光二极管芯片后发射端面射出的激光束的监视器光电二极管的光接收面,而所述的激光二极管芯片和监视器光电二极管都安装在所述的基座上,使所述的光接收面和从激光二极管芯片的后发射端面射出的激光束的发射方向基本上互相垂直,其特征在于,在基座上设置基准标志,用来使激光二极管芯模片键合在预定位置上。

7.一种半导体激光器件,包括基座、安装在基座上的半导体激光芯片、密封激光芯片的树脂层、安装在基座上并适合于接收从激光芯片射出的激光束的监视器光电二极管芯片、用来使激光芯片和第1导线电连接的第1导线和用来使光电二极管和第2导体电连接的第2导线、以及与基座组合成一体的保护部件;该保护部件至少密封了激光芯片、光电二极管芯片及其第1和第2导线,从而使它们不受外力损伤。

8.按照权利要求7所述的半导体激光器件,其特征在于,所述基座是引线框架的一条引线而所述的保护部件则是常用的一端用底座封闭的圆筒型管壳,所述的引线框架的各引线穿过管壳的底座。

9.按照权利要求7所述的半导体激光器件,其特征在于,所述基座,所述第1导体和所述第2导体分别由引线框架的引线构成,而其中的所述保护部件是常用的一端用底座封闭的圆筒型管壳,该管壳的内周面上至少开有两个轴向槽,最外侧的两根引线分别插入对应的槽内而使所述的保护部件与引线组装成一体。

10.按照权利要求7所述的半导体激光器件,其特征在于,所述保护件为一密封的结构,该结构中有一窗口,从激光芯片发出的激光束穿过该窗口,而射到保护部件的外面,所述的保护部件的内表面还涂覆一层光吸收层。

11.按照权利要求7所述的半导体激光器件,其特征在于,所述保护部件包括一个光学构件,它位于激光芯片射出激光束向保护部件外传播的路径上。

12.按照权利要求7所述的半导体激光器件,其特征在于,所述保护部件上设有一个基准面,当已安装了激光芯片的基座装配的到外部设备上时,就用所述的基准面来确定基准位置。

13.一种半导体激光器件,它包括:半导体激光芯片、适合于接收激光芯片射出的激光束的监视器光电二极管、用于检测激光芯片反射束的检测光电二极管、用来引导反射束并使之射到检测光电二极管芯片上的全息图、以及将激光芯片、监视器光电二极管和检测光电二极管之中的至少激光芯片密封起来的透明树脂层。

14.一种半导体激光器件,它包括:基座、安装在基座上的半导体激光芯片、安装在基座上并适于接收激光芯片射出的激光束的监视器光电二极管、安装在基座上,使激光芯片及光电二极管芯片密封在内的管帽、以及安装在管帽上,用来导引激光芯片反射束的全息图。

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