[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1．一种半导体器件的制造方法，具有①在由要安装多块半导体芯片的半导体衬底或者绝缘底板构成的电路底板上形成下层布线的过程；②形成覆盖所述布线的绝缘膜的过程；③在所述绝缘膜上形成上层布线的过程，其特征在于，还具有：④用具有对应于上述下层布线所希望位置的开口的丝网版将金属浆料作丝网印刷，对印上的浆料进行热处理的干燥和烧结，在上述电路底板上的包含上述下层布线的规定区域上形成金属柱的过程，并用所述金属柱连接所述下层布线和上层布线。

2．根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成覆盖上述下层布线和上述金属柱的绝缘膜，并使上述金属柱前端露出的过程中，在上述电路底板上，先形成层间绝缘膜使上述下层布线及上述金属柱埋入膜内，然后对该绝缘膜表面进行深腐蚀，直至上述金属柱的前端露出。

3．根据权利要求1所述的半导器件的制造方法，其特征在于用半导体衬底作上述电路底板时，该半导体衬底的表面覆绝缘膜。

4．根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于覆盖上述半导体衬底表面的绝缘膜规定区域，用作电容器的介质。

5．根据权利要求1至4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于通过具有所希望的布线图案开口的丝网版，将金属浆料用丝网印刷至上述电路底板上，通过对印上的金属浆料进行热处理干燥和烧结，在上述电路底板上形成上述下层布线或者上述上层布线，或者是上述上层及下层的双重布线。